| 主权项 |
1.一种有机电子装置,包含有:一第1电极,系形成于基板上者;一第2电极,系与前述第1电极相隔者;及一导电性有机薄膜,系用以电性连接前述第1电极与第2电极者;而,前述导电性有机薄膜系由具光应答性官能基之有机分子群所构成,并具一构成该有机分子群之分子已相互共轭结合之导电网路。2.如申请专利范围第1项之有机电子装置,其中该导电性有机薄膜系已将有机分子固定于基板上之单分子膜或单分子累积膜。3.如申请专利范围第1项之有机电子装置,其中该导电网路之导电率依照射于前述导电性有机薄膜之光线的光量而变化。4.如申请专利范围第3项之有机电子装置,其中该导电网路之导电率依照射于前述导电性有机薄膜之波长相异的第1光线或第2光线而分别转变为第1导电率或第2导电率,且,遮光后亦可分别维持该第1或第2导电率。5.如申请专利范围第1项之有机电子装置,其中该光应答性官能基系光异构化之官能基。6.如申请专利范围第5项之有机电子装置,其中该光异构化之官能基系偶氮基。7.如申请专利范围第1项之有机电子装置,其中该导电网路含有一个以上由聚乙炔型、聚双乙炔型、聚喀型、聚吩烯型及聚莘型之共轭系构成的群中所选出之共轭系。8.一种有机电子装置,包含有:一第1电极,系形成于基板上者;一第2电极,系与前述第1电极相隔者;一导电性有机薄膜,系用以电性连接前述第1电极与第2电极者;及一第3电极,系夹设于前述基板与前述导电性有机薄膜间,并与其分别绝缘者;而,前述第3电极系可藉施加于与前述第1电极或前述第2电极间之电压来控制作用于前述导电性有机薄膜上之电场者;又,该导电性有机薄膜系由具极性官能基之有机分子群所构成,并具一构成该有机分子群之分子已相互共轭结合之导电网路。9.如申请专利范围第8项之有机电子装置,其中该导电性有机薄膜系已将有机分子固定于基板上之单分子膜或单分子累积膜。10.如申请专利范围第8项之有机电子装置,其中该导电网路之导电率依施加于前述导电性有机薄膜之电场而变化。11.如申请专利范围第8项之有机电子装置,其中该极性官能基系藉施加电界而极化之极化性官能基。12.如申请专利范围第11项之有机电子装置,其中该极化性官能基系羧基或氧羧基。13.如申请专利范围第8项之有机电子装置,其中该导电网路含有一个以上由聚乙炔型、聚双乙炔型、聚喀型、聚吩烯型及聚莘型之共轭系构成的群中所选出之共轭系。14.一种有机电子装置之制造方法,系在一绝缘性基板上或一于任意基板表面形成有绝缘膜之具绝缘膜基板上进行以下步骤:一成膜步骤,系用以形成有机薄膜者,而,该有机薄膜系由具光应答性官能基及以共轭结合而结合之聚合性官能基的有机分子群所构成;一导电网路形成步骤,系用以使构成前述有机薄膜之分子相互共轭结合,以形成导电网路者;及一对电极形成步骤,系用以形成彼此隔离之第1电极及第2电极,并使其等与前述导电网路接触者。15.一种有机电子装置之制造方法,系在一绝缘性基板上或一于任意基板表面形成有第1绝缘膜之具绝缘膜基板上进行以下步骤:一第3电极形成步骤,系用以形成第3电极者;一成膜步骤,系用以形成有机薄膜,以直接或藉第2绝缘膜来覆盖前述第3电极者,而,前述有机薄膜系由具极化官能基及以共轭结合而结合之聚合性官能基的有机分子所构成;一导电网路形成步骤,系用以使构成前述有机薄膜之分子相互共轭结合,以形成导电网路者;及一对电极形成步骤,系用以形成彼此隔离之第1电极及第2电极,并使其等与前述导电网路接触者。16.如申请专利范围第14或15项的有机电子装置之制造方法,其中该有机薄膜系已将有机分子固定于基板上之单分子膜或单分子累积膜。17.如申请专利范围第14或15项的有机电子装置之制造方法,其中该成膜步骤系运用化学吸着法或蓝米尔-布罗杰特法。18.如申请专利范围第14或15项的有机电子装置之制造方法,其系于前述导电网路形成步骤中,藉将构成前述有机薄膜之分子相互聚合,或藉聚合及该聚合后之架桥面产生共轭结合,以形成导电网路。19.如申请专利范围第14项的有机电子装置之制造方法,其中该光应答性官能基系使用光异构化之官能基。20.如申请专利范围第19项的有机电子装置之制造方法,其中该光异构化之官能基系使用偶氮基。21.如申请专利范围第15项的有机电子装置之制造方法,其中该极性官能基系可藉施加电场而极化之极化性官能基。22.如申请专利范围第21项的有机电子装置之制造方法,其中该极化性官能基系使用羧基或/及氧羧基。23.如申请专利范围第14或15项的有机电子装置之制造方法,其中该以共轭结合而结合之聚合性官能基至少使用一种由触媒聚合性官能基、电解聚合性官能基及藉能量光束照射而聚合之官能基构成的群中所选出之官能基。24.如申请专利范围第14或15项的有机电子装置之制造方法,其中,该以共轭结合而结合之聚合性官能基为电解聚合性官能基时,于进行前述导电网路形成步骤之前,先进行前述对电极形成步骤;且,前述导电网路形成步骤系藉于前述第1电极与第2电极间施加电压,使电解聚合性官能基间产生电解聚合反应,以形成导电网路。25.如申请专利范围第14项的有机电子装置之制造方法,其中,该以共轭结合而结合之聚合性官能基为电解聚合性官能基之喀基或/及吩基时,经前述成膜步骤、导电网路形成步骤及对电极形成步骤而形成具导电网路之有机薄膜后,将已形成该有机薄膜之基板浸渍于溶解有具喀基或/及吩基与光应答性官能基之有机分子的有机溶剂中,且,于前述第1电极与第2电极间,及,前述第1电极或第2电极与接触前述有机溶剂而配置于前述有机薄膜上之外部电极间,分别施加电压,再于前述有机薄膜之表面形成由前述有机分子构成之被膜,并于该被膜上形成导电网路。26.如申请专利范围第14项的有机电子装置之制造方法,其中,该以共轭结合而结合之聚合性官能基为电解聚合性官能基之喀基或/及吩基时,经前述成膜步骤及对电极形成步骤而形成导电网路形成前之有机薄膜后,将已形成该有机薄膜之基板浸渍于溶解有具喀基或/及吩基与光应答性官能基之有机分子的有机溶剂中,且,于前述第1电极与第2电极间,及,前述第1电极或第2电极与接触前述有机溶剂而配置于前述有机薄膜上之外部电极间,分别施加电压,再于前述有机薄膜之表面形成由前述有机分子构成之被膜,并于前述有机薄膜及被膜上分别形成导电网路。27.如申请专利范围第15项的有机电子装置之制造方法,其中,该以共轭结合而结合之聚合性官能基为电解聚合性官能基之喀基或/及吩基时,经前述第3电极形成步骤、成膜步骤、导电网路形成步骤及对电极形成步骤而形成具导电网路之有机薄膜后,将已形成该有机薄膜之基板浸渍于溶解有具喀基或/及吩基与光应答性官能基之有机分子的有机溶剂中,且,于前述第1电极与第2电极间,及,前述第1电极或第2电极与接触前述有机溶剂而配置于前述有机薄膜上之外部电极间,分别施加电压,再于前述有机薄膜之表面形成由前述有机分子构成之被膜,并于该被膜上形成导电网路。28.如申请专利范围第15项的有机电子装置之制造方法,其中,该以共轭结合而结合之聚合性官能基为电解聚合性官能基之喀基或/及吩基时,经前述第3电极形成步骤、成膜步骤及对电极形成步骤而形成导电网路形成前之有机薄膜后,将已形成该有机薄膜之基板浸渍于溶解有具喀基或/及吩基与光应答性官能基之有机分子的有机溶剂中,且,于前述第1电极与第2电极间,及,前述第1电极或第2电极与接触前述有机溶剂而配置于前述有机薄膜上之外部电极间,分别施加电压,再于前述有机薄膜之表面形成由前述有机分子构成之被膜,并于前述有机薄膜及被膜上形成导电网路。29.一种有机电子装置之动作方法,该有机电子装置具有一形成于基板上之第1电极、一与该第1电极相隔之第2电极及一可将前述第1电极与第2电极电性连接之导电性有机薄膜,其中,该导电性有机薄膜由具光应答性官能基之有机分子群所构成,并具一构成该有机分子群之分子已相互共轭结合之导电网路;其特征在于:在前述第1电极与第2电极间施加有电压之状态下,于前述导电性有机薄膜上照射光线来改变前述导电网路之导电率,以切换流动于前述第1电极与第2电极间之电流。30.一种有机电子装置之动作方法,该有机电子装置具有一形成于基板上之第1电极、一与该第1电极相隔之第2电极、一可将前述第1电极与第2电极电性连接之导电性有机薄膜及一夹设于前述基板与前述导电性有机薄膜间,并与其分别绝缘之第3电极,其中,该第3电极系可藉施加于与前述第1或第2电极间之电压来控制作用于前述导电性有机薄膜上之电场者,又,该导电性有机薄膜系由其极性官能基之有机分子群所构成,并具一构成该有机分子群之分子已相互共轭结合之导电网路;其特征在于:在前述第1电极与第2电极间施加有电压之状态下,藉施加于前述第1电极或第2电极与第3电极间之电压来改变前述导电网路之导电率来切换流动于前述第1电极与第2电极间之电流。31.如申请专利范围第29项的有机电子装置之动作方法,其中该光应答性官能基为光异构化之官能基,且,可藉照射于前述导电性有机薄膜上之波长相异的第1光线或第2光线之照射来改变前述导电网路之导电率。32.如申请专利范围第31项的有机电子装置之动作方法,其中该光异构化之官能基为偶氮基。33.如申请专利范围第31项的有机电子装置之动作方法,其中该照射于前述导电性有机薄膜之第1或第2光线分别使用紫外线或可见光线。34.如申请专利范围第30项的有机电子装置之动作方法,其中该极性官能基系藉施加电场而极化之极化性官能基。35.如申请专利范围第34项的有机电子装置之动作方法,其中该极化性官能基系羧基或氧羧基。36.如申请专利范围第29或30项的有机电子装置之动作方法,其中该导电性有机薄膜系已将有机分子固定于基板上之单分子膜或单分子累积膜。37.一种液晶显示装置,包含有:一阵列基板,系于第1基板上矩阵状配列配置有复数开关元件,且其表面形成有第1配向膜者;一滤色片基板,系于第2基板上矩阵状配列配置有复数颜色要素,且其表面形成有第2配向膜者;及液晶,系封止于以前述第1配向膜及前述第2配向膜为内侧而相对向之前述阵列基板与前述滤色片基板间者;其中,前述开关元件系有机电子装置,具有一第1电极、一与前述第1电极相隔之第2电极、一用以电性连接前述第1电极与第2电极之导电性有机薄膜及一夹设于前述基板与前述导电性有机薄膜间,并与其分别绝缘之第3电极,又,该第3电极可藉施加于与前述第1电极或第2电极间之电压来控制作用于前述导电性有机薄膜上之电场,而,该导电性有机薄膜则由具极性官能基之有机分子群所构成,并具一构成该有机分子群之分子已相互共轭结合之导电网路。38.一种电发光显示装置,包含有:一阵列基板,系于基板上矩阵状配列配置有复数开关元件者;一共通电极,系与前述阵列基板相对向者;及一发光层,系形成于前述阵列基板与前述共通电极间,并由可藉施加电场而发光之萤光物质所构成者;其中,前述开关元件系有机电子装置,具有一第1电极、一与前述第2电极相隔之第2电极、一用以电性连接前述第1与第2电极之导电性有机薄膜及一夹设于前述基板与前述导电性有机薄膜间,并与其分别绝缘之第3电极,又,该第3电极可藉施加于与前述第1或第2电极间之电压来控制作用于前述导电性有机薄膜上之电场,而,该导电性有机薄膜则由具极性官能基之有机分子群所构成,并具一构成该有机分子群之分子已相互共轭结合之导电网路。39.如申请专利范围第38项之电发光显示装置,其系配列配置3种可发出红色、蓝色或绿色光之前述萤光物质,以进行颜色显示。40.一种液晶显示装置之制造方法,包含有:一阵列基板形成步骤,系于第1基板上形成复数开关元件,并使该等复数开关元件呈矩阵状配列,再于其表面形成第1配向膜者;一滤色片基板形成步骤,系于第2基板上形成颜色要素,并使该颜色要素呈矩阵状配列,再于其表面形成第2配向膜者;及一液晶封止步骤,系以第1配向膜及第2配向膜为内侧而将前述阵列基板与前述滤色片基板以一预定间隔相对向,并于前述阵列基板与前述滤色片基板间填充液晶后,将该液晶加以封止者;其中,前述开关元件系使用有机电子装置,而该有机电子装置具有一第1电极、一与前述第2电极相隔之第2电极、一用以电性连接前述第1与第2电极之导电性有机薄膜及一夹设于前述基板与前述导电性有机薄膜间,并与其分别绝缘之第3电极,又,该第3电极可藉施加于与前述第1或第2电极间之电压来控制作用于前述导电性有机薄膜上之电场,而,该导电性有机薄膜则由具极性官能基之有机分子群所构成,并具一构成该有机分子群之分子已相互共轭结合之导电网路。41.一种电发光显示装置之制造方法,包含有:一阵列基板形成步骤,系于基板上形成复数开关元件,并使该等复数开关元件呈矩阵状配列者;一发光层形成步骤,系于前述阵列基板上形成一由可藉施加电压而发光之萤光物质所构成的萤光层者;及一共通电极形成步骤,系于前述发光层上形成共通电极膜者;其中,前述开关元件系使用有机电子装置,而该有机电子装置具有一第1电极、一与前述第2电极相隔之第2电极、一用以电性连接前述第1与第2电极之导电性有机薄膜及一夹设于前述基板与前述导电性有机薄膜间,并与其分别绝缘之第3电极,又,该第3电极可藉施加于与前述第1或第2电极间之电压来控制作用于前述导电性有机薄膜上之电场,而,该导电性有机薄膜则由具极性官能基之有机分子群所构成,并具一构成该有机分子群之分子已相互共轭结合之导电网路。42.如申请专利范围第41项的电发光显示电子装置之制造方法,其系于前述发光层形成步骤中,将3种可发出红、蓝或绿色光之前述发光物质形成于预定位置后,进行颜色显示。43.一种机能性有机薄膜之制造方法,系一制造利用共有结合固定于基材表面之预定部分而构成之机能性有机薄膜的方法,包含有:一前置处理步骤,系对前述基材表面之预定部分施以活性氢露出化处理,以使该预定部分成为露出活性氢密度较预定部分外之部分高的领域者;及一成膜步骤,系使具有可与活性氢反应之官能基及机能性官能基之有机分子与前述露出活性氢密度较高之领域接触后,使前述有机分子与前述领域内之活性氢反应,以形成利用共有结合固定于前述基材表面之预定部分而成之机能性有机薄膜者。44.如申请专利范围第43项的机能性有机薄膜之制造方法,其中该基材系使用表面未露出活性氢者。45.如申请专利范围第43项的机能性有机薄膜之制造方法,其中该基材表面之预定部分的其中一面积系1000m2以下。46.如申请专利范围第43项的机能性有机薄膜之制造方法,其中该机能性官能基系由光应答性官能基、电场应答性官能基及以共轭结合而结合之聚合性官能基构成的群中所选出之至少一种官能基。47.如申请专利范围第43项的机能性有机薄膜之制造方法,其中该机能性有机薄膜系已将有机分子固定于基板上之单分子膜或单分子累积膜。48.如申请专利范围第44项的机能性有机薄膜之制造方法,其中该表面未露出活性氢之基材系使用拨水性之单层基材或表面形成有拨水性被膜之积层基材。49.如申请专利范围第48项的机能性有机薄膜之制造方法,其中该拨水性之单层基材系使用拨水性之合成树脂基材。50.如申请专利范围第49项的机能性有机薄膜之制造方法,其中该合成树脂基材系使用丙烯酸树脂基材、聚碳酸酯树脂基材或聚乙醚树脂基材。51.如申请专利范围第48项的机能性有机薄膜之制造方法,其中该构成积层基材之拨水性被膜系使用丙烯酸树脂膜、聚碳酸酯树脂膜或聚乙醚树脂膜。52.如申请专利范围第43项的机能性有机薄膜之制造方法,其中前述前置处理步骤中,前述活性氢露出化处理所使用之方法,系使基材表面之预定部分氧化后,赋予活性氢。53.如申请专利范围第52项的机能性有机薄膜之制造方法,其中该氧化之方法系于氧及氢原子供给物质之存在下,对基材表面之预定部分使用由准分子UV光照射法、紫外线照射法、电浆处理法及电晕处理法构成之群中所选出的至少一种方法。54.如申请专利范围第43项的机能性有机薄膜之制造方法,其中前述前置处理步骤中,前述活性氢露出化处理所使用之方法,系准备一于已露出活性氢之基材表面上形成有拨水性有机物膜之积层基材,并使该积层基材表面之预定部分氧化后,除去前述有机物膜,以露出活性氢。55.如申请专利范围第54项的机能性有机薄膜之制造方法,其中该氧化之方法系于含有氧之环境下,对积层基材表面之预定部分使用由准分子UV光照射法、紫外线照射法、电浆处理法及电晕处理法构成之群中所选出的至少一种方法。56.如申请专利范围第43项的机能性有机薄膜之制造方法,其系于前述活性氢露出化处理之前,先准备一已对基材表面之预定部分外的部分施加遮罩者,再对该已完成遮罩之基材进行活性氢露出化处理。57.如申请专利范围第56项的机能性有机薄膜之制造方法,其中该成膜步骤系于除去前述遮罩后进行。58.如申请专利范围第56项的机能性有机薄膜之制造方法,其中该成膜步骤系于除去前述遮罩前进行。59.如申请专利范围第43项的机能性有机薄膜之制造方法,其中前述成膜步骤中,前述具有可与前述活性氢反应之官能基及机能性官能基的有机分子系使用具有由卤甲矽烷基、异氰酸酯基及烷氧基甲矽烷基构成之群中所选出之至少一种官能基及机能性官能基的有机分子;而,将该有机分子接触前述露出活性密度较高之领域时,则系使用混合前述有机分子及有机溶剂而形成之化学吸着液。60.如申请专利范围第43项的机能性有机薄膜之制造方法,其系于前述前置处理步骤及成膜步骤后,进行一以非水系有机溶剂来洗净基材表面之洗净步骤。61.一种机能性有机薄膜之制造方法,系一制造利用共有结合固定于基材表面之预定部分而形成之机能性有机薄膜的方法,包含有:一前置处理步骤,系对前述基材表面之预定部分外的部分施以活性氢除去处理,并使该预定部分成为露出活性氢密度较预定部分外之部分高的领域者;及一成膜步骤,系使具有可与活性氢反应之官能基及机能性官能基之有机分子与前述露出活性氢密度较高之领域接触后,使前述有机分子与前述领域内之活性氢进行反应,以形成利用共有结合固定于前述基材表面之预定部分而构成之机能性有机薄膜者。62.如申请专利范围第61项的机能性有机薄膜之制造方法,其中该基材系使用表面已露出活性氢者。63.如申请专利范围第61项的机能性有机薄膜之制造方法,其中该基材表面之预定部分的其中一面积系1000m2以下。64.如申请专利范围第61项的机能性有机薄膜之制造方法,其中该机能性官能基系至少一种由光应答性官能基、电场应答性官能基及以共轭结合而结合之聚合性官能基构成的群中所选出之官能基。65.如申请专利范围第61项的机能性有机薄膜之制造方法,其中该机能性有机薄膜系已将有机分子固定于基板上之单分子膜或单分子累积膜。66.如申请专利范围第62项的机能性有机薄膜之制造方法,其中该表面已露出活性氢之基材系使用亲水性之单层基材或表面形成有亲水性被膜之积层基材。67.如申请专利范围第66项的机能性有机薄膜之制造方法,其中该单层基板系使用表面已氧化之金属基材、矽基材、氮化矽基材、二氧化矽基材或玻璃基材。68.如申请专利范围第66项的机能性有机薄膜之制造方法,其中该构成积层基材之亲水性被膜系使用金属膜、矽膜、氮化矽膜、二氧化矽膜或玻璃膜。69.如申请专利范围第61项的机能性有机薄膜之制造方法,其中前述前置处理步骤中,前述活性氢除去处理所使用之方法,系对基材表面之预定部分外的部分施以化学处理,以除去活性氢。70.如申请专利范围第69项的机能性有机薄膜之制造方法,其中该化学处理所使用之方法,系将具有可与活性氢反应之官能基的有机分子与基材表面之预定部分接触,以使前述有机分子与前述基材表面之预定部分外的部分之活性氢产生反应。71.如申请专利范围第61项的机能性有机薄膜之制造方法,其中前述前置处理步骤中,前述活性氢除去处理所使用之方法,系对基材表面之预定部分外的部分施以物理处理,以除去活性氢。72.如申请专利范围第71项的机能性有机薄膜之制造方法,其中该物理处理所使用之方法,系于真空中对基材表面之预定部分外的部分进行光照射,以切断使活性氢结合于基材上之共有结合。73.如申请专利范围第61项的机能性有机薄膜之制造方法,其系于前述活性氢除去处理前,先准备一已对基材表面之预定部分外的部分施加遮罩者,再对该已完成遮罩之基材进行活性氢露出化处理,且,于前述成膜步骤前,先除去遮罩。74.如申请专利范围第73项的机能性有机薄膜之制造方法,其中前述成膜步骤中,前述具有可与活性氢反应之官能基及机能性官能基的有机分子系使用具有由卤甲矽烷基、异氰酸酯基及烷氧基甲矽烷基构成之群中所选出的至少一种官能基及机能性官能基之有机分子;而,将该有机分子接触前述露出活性密度较高之领域时,则系使用混合前述有机分子及有机溶剂而形成之化学吸着液。75.如申请专利范围第73项的机能性有机薄膜之制造方法,其系于前述前置处理步骤及成膜步骤后,进行一以非水系有机溶剂来洗净基材表面之洗净步骤。76.一种有机电子装置之制造方法,该有机电子装置具有一形成于基板上之第1电极、一与该第1电极相隔之第2电极及一可将前述第1电极与第2电极电性连接之导电性有机薄膜,其中,该导电性有机薄膜由具光应答性官能基之有机分子群所构成,并具一构成该有机分子群之分子已相互共轭结合之导电网路;而,该有机电子装置之制造方法系包含有:一前置处理步骤,系对前述基材表面之预定部分施以活性氢露出化处理,以使该预定部分成为露出活性氢密度较预定部分外之部分高的领域者;一成膜步骤,系将具有可与活性氢反应之官能基、光应答性官能基及以共轭结合而结合之聚合性官能基的有机分子与前述露出活性氢密度较高之领域接触后,使前述有机分子与前述领域内之活性氢反应,并利用共有结合将由前述有机分子所构成之有机分子群固定于前述基板表面之预定部分者;一导电网路形成步骤,系将构成前述有机分子群之分子相互共轭结合,以形成导电网路者;及一对电极形成步骤,系于前述基板上形成第1电极及第2电极者。77.一种有机电子装置之制造方法,该有机电子装置具有一形成于基板上之第1电极、一与该第1电极相隔之第2电极、一可将前述第1与第2电极电性连接之导电性有机薄膜及一夹设于前述基板与前述导电性有机薄膜间,并与其分别绝缘之第3电极,其中,该第3电极系可藉施加于与前述第1或第2电极间之电压来控制作用于前述导电性有机薄膜上之电场者,又,前述导电性有机薄膜由具极性官能基之有机分子群所构成,并具一构成该有机分子群之分子已相互共轭结合之导电网路;而,该有机电子装置之制造方法系包含有:一第3电极形成步骤,系于前述基板之表面形成第3电极者;一前置处理步骤,系对前述基材表面之预定部分施以活性氢露出化处理,以使该预定部分成为露出活性氢密度较预定部分外之部分高的领域者;一成膜步骤,系将具有可与活性氢反应之官能基、极性官能基及以共轭结合而结合之聚合性官能基的有机分子与前述露出活性氢密度较高之领域接触后,使前述有机分子与前述领域内之活性氢反应,并利用共有结合将由前述有机分子所构成之有机分子群固定于前述基板表面之预定部分者;一导电网路形成步骤,系将构成前述有机分子群之分子相互共轭结合,以形成导电网路者;及一对电极形成步骤,系于前述基板上形成第1电极及第2电极者。78.一种有机电子装置之制造方法,该有机电子装置具有一形成于基板上之第1电极、一与该第1电极相隔之第2电极及一可将前述第1电极与第2电极电性连接之导电性有机薄膜,其中,该导电性有机薄膜由具光应答性官能基之有机分子群所构成,并具一构成该有机分子群之分子已相互共轭结合之导电网路;而,该有机电子装置之制造方法系包含有:一前置处理步骤,系对前述基材表面之预定部分外的部分施以活性氢除去处理,以使预定部分成为露出活性氢密度较前述预定部分外之部分高的领域者;一成膜步骤,系将具有可与活性氢反应之官能基、极性官能基及以共轭结合而结合之聚合性官能基的有机分子与前述露出活性氢密度较高之领域接触后,使前述有机分子与前述领域内之活性氢反应,并利用共有结合将由前述有机分子所构成之有机分子群固定于前述基板表面之预定部分者;一导电网路形成步骤,系将构成前述有机分子群之分子相互共轭结合,以形成导电网路者;及一对电极形成步骤,系于前述基板上形成第1电极及第2电极者。79.一种有机电子装置之制造方法,该有机电子装置具有一形成于基板上之第1电极、一与该第1电极相隔之第2电极、一可将前述第1电极与第2电极电性连接之导电性有机薄膜及一夹设于前述基板与前述导电性有机薄膜间,并与其分别绝缘之第3电极,其中,该第3电极系可藉施加于与前述第1电极或第2电极间之电压来控制作用于前述导电性有机薄膜上之电场者,又,前述导电性有机薄膜由具极性官能基之有机分子群所构成,并具一构成该有机分子群之分子已相互共轭结合之导电网路;而,该有机电子装置之制造方法系包含有:一第3电极形成步骤,系于前述基板之表面形成第3电极者;一前置处理步骤,系对前述形成有第3电极之基材表面的预定部分外之部分施以活性氢除去处理,以使预定部分成为露出活性氢密度较前述预定部分外之部分高的领域者;一成膜步骤,系将具有可与活性氢反应之官能基、极性官能基及以共轭结合而结合之聚合性官能基的有机分子与前述露出活性氢密度较高之领域接触后,使前述有机分子与前述领域内之活性氢反应,并利用共有结合将由前述有机分子所构成之有机分子群固定于前述基板表面之预定部分者;一导电网路形成步骤,系将构成前述有机分子群之分子相互共轭结合,以形成导电网路者;及一对电极形成步骤,系于前述基板上形成第1电极及第2电极者。80.如申请专利范围第76或77项的有机电子装置之制造方法,其中该基板系使用表面未露出活性氢之表面绝缘性基板。81.如申请专利范围第76或77项的有机电子装置之制造方法,其中该活性氢露出化处理所使用之方法,系使基材表面之预定部分氧化后,赋予活性氢。82.如申请专利范围第76或77项的有机电子装置之制造方法,其中该活性氢露出化处理所使用之方法,系准备一于已露出活性氢之基材表面上形成有拨水性有机物膜之积层基材,并使该积层基材表面之预定部分氧化后,除去前述有机物膜,以露出活性氢。83.如申请专利范围第78或79项的有机电子装置之制造方法,其中该基板系使用表面已露出活性氢之表面绝缘性基板。84.如申请专利范围第78或79项的有机电子装置之制造方法,其中该活性氢除去处理所使用之方法,系对基材表面之预定部分外的部分施以化学处理,以除去活性氢。85.如申请专利范围第78或79项的有机电子装置之制造方法,其中该活性氢除去处理所使用之方法,系对基材表面之预定部分外的部分施以物理处理,以除去活性氢。86.如申请专利范围第76.77.78或79项的有机电子装置之制造方法,其中该导电性有机薄膜系已将有机分子固定于基板上之单分子膜或单分子累积膜。87.如申请专利范围第76.77.78或79项的有机电子装置之制造方法,其中该成膜步骤系运用化学吸着法或蓝米尔-布罗杰特法。88.如申请专利范围第76.77.78或79项的有机电子装置之制造方法,其中该以共轭结合而结合之聚合性官能基至少使用一种由触媒聚合性官能基、电解聚合性官能基及藉能量光束照射而聚合之官能基构成的群中所选出之官能基。89.如申请专利范围第76或78项的有机电子装置之制造方法,其中该光应答性官能基系光异构化之官能基。90.如申请专利范围第76或78项的有机电子装置之制造方法,其中,该以共轭结合而结合之聚合性官能基为电解聚合性官能基时,于进行前述导电网路形成步骤之前,先进行前述对电极形成步骤;且,前述导电网路形成步骤系藉于前述第1电极与第2电极间施加电压,使电解聚合性官能基间产生电解聚合反应,以形成导电网路。91.如申请专利范围第76或78项的有机电子装置之制造方法,其中,该以共轭结合而结合之聚合性官能基为电解聚合性官能基之喀基或/及吩基时,经前述前置处理、成膜步骤、导电网路形成步骤及对电极形成步骤而形成具导电网路之有机薄膜后,将已形成该有机薄膜之基板浸渍于溶解有具喀基或/及吩基与光应答性官能基之有机分子的有机溶剂中,且,于前述第1电极与第2电极间,及,前述第1电极或第2电极与接触前述有机溶剂而配置于前述有机薄膜上之外部电极间,分别施加电压,再于前述有机薄膜之表面形成由前述有机分子构成之被膜,并于该被膜上形成导电网路。92.如申请专利范围第76或78项的有机电子装置之制造方法,其中,该以共轭结合而结合之聚合性官能基为电解聚合性官能基之喀基或/及吩基时,经前述前置处理、成膜步骤及对电极形成步骤而形成导电网路形成前之有机薄膜后,将已形成该有机薄膜之基板浸渍于溶解有具喀基或/及吩基与光应答性官能基之有机分子的有机溶剂中,且,于前述第1电极与第2电极间,及,前述第1电极或第2电极与接触前述有机溶剂而配置于前述有机薄膜上之外部电极间,分别施加电压,再形成由前述有机分子构成之被膜,并于前述有机薄膜及被膜上分别形成导电网路。93.如申请专利范围第77或79项的有机电子装置之制造方法,其中该极性官能基系使用极化性官能基。94.如申请专利范围第77或79项的有机电子装置之制造方法,其中,该以共轭结合而结合之聚合性官能基为电解聚合性官能基时,于进行前述导电网路形成步骤之前,先进行前述对电极形成步骤;且,前述导电网路形成步骤系藉于前述第1电极与第2电极间施加电压,使电解聚合性官能基间产生电解聚合反应,以形成导电网路。95.如申请专利范围第77或79项的有机电子装置之制造方法,其中,该以共轭结合而结合之聚合性官能基为电解聚合性官能基之喀基或/及吩基时,经前述前置处理、成膜步骤、导电网路形成步骤及对电极形成步骤而形成具导电网路之有机薄膜后,将已形成该有机薄膜之基板浸渍于溶解有具喀基或/及吩基与光应答性官能基之有机分子的有机溶剂中,且,于前述第1电极与第2电极间,及,前述第1电极或第2电极与接触前述有机溶剂而配置于前述有机薄膜上之外部电极间,分别施加电压,再于前述有机薄膜之表面形成由前述有机分子构成之被膜,并于该被膜上形成导电网路。96.如申请专利范围第77或79项的有机电子装置之制造方法,其中,该以共轭结合而结合之聚合性官能基为电解聚合性官能基之喀基或/及吩基时,经前述前置处理、成膜步骤及对电极形成步骤而形成导电网路形成前之有机薄膜后,将已形成该有机薄膜之基板浸渍于溶解有具喀基或/及吩基与光应答性官能基之有机分子的有机溶剂中,且,于前述第1电极与第2电极间,及,前述第1电极或第2电极与接触前述有机溶剂而配置于前述有机薄膜上之外部电极间,分别施加电压,再形成由前述有机分子构成之被膜,并于前述有机薄膜及被膜上分别形成导电网路。97.一种液晶显示装置之制造方法,包含有:一阵列基板形成步骤,系于第1基板上形成复数做为开关元件之有机电子装置,并使该等有机电子装置呈矩阵状配列,再于其表面形成第1配向膜者;一滤色片基板形成步骤,系于第2基板上形成颜色要素,并使该颜色要素呈矩阵状配列,再于其表面形成第2配向膜者;及,一液晶封止步骤,系以第1配向膜及第2配向膜为内侧而将前述阵列基板与前述滤色片基板以一预定间隔相对向,并于前述阵列基板与前述滤色片基板间填充液晶后,将该液晶加以封止者;其中,前述阵列基板形成步骤包含以下子步骤:一第3电极形成子步骤,系于前述第1基板表面上将第3电极形成矩阵状者;一前置处理子步骤,系对形成有前述第3电极之基板表面的预定部分施以活性氢露出化处理,以使该预定部分成为露出活性氢密度较预定部分外之部分高的领域者;一成膜子步骤,系将具有可与活性氢反应之官能基、极性官能基及以共轭结合而结合之聚合性官能基的有机分子与前述露出活性氢密度较高之领域接触后,使前述有机分子与前述领域内之活性氢反应,并利用共有结合将由前述有机分子所构成之有机分子群固定于前述基板表面之预定部分者;一导电网路形成子步骤,系使构成前述有机分子群之分子相互共轭结合,以形成导电网路者;一对电极形成子步骤,系于前述第1基板上形成第1电极及第2电极者;及一配向膜形成子步骤,系于形成有前述第1电极、第2电极、第3电极及导电性有机薄膜之前述第1基板上形成第1配向膜者。98.一种电发光显示装置之制造方法,包含有:一阵列基板形成步骤,系于基板上形成复数做为开关元件之有机电子装置,并使该等有机电子装置呈矩阵状配列者;一发光层形成步骤,系于前述阵列基板上形成一由可藉施加电压而发光之萤光物质所构成的萤光层者;及,一共通电极形成步骤,系于前述发光层上形成共通电极膜者;其中,前述阵列基板形成步骤包含以下子步骤:一第3电极形成子步骤,系于前述基板表面上将第3电极形成矩阵状者;一前置处理子步骤,系对形成有前述第3电极之基板表面的预定部分施以活性氢露出化处理,以使该预定部分成为露出活性氢密度较预定部分外之部分高的领域者;一成膜子步骤,系将具有可与活性氢反应之官能基、极性官能基及以共轭结合而结合之聚合性官能基的有机分子与前述露出活性氢密度较高之领域接触后,使前述有机分子与前述领域内之活性氢反应,并利用共有结合将由前述有机分子所构成之有机分子群固定于前述基板表面之预定部分者;一导电网路形成子步骤,系使构成前述有机分子群之分子相互共轭结合,以形成导电网路者;及一对电极形成子步骤,系于前述基板上形成第1电极及第2电极者。99.一种液晶显示装置之制造方法,包含有:一阵列基板形成步骤,系于第1基板上形成复数做为开关元件之有机电子装置,并使该等有机电子装置呈矩阵状配列,再于其表面形成第1配向膜者;一滤色片基板形成步骤,系于第2基板上形成颜色要素,并使该颜色要素呈矩阵状配列,再于其表面形成第2配向膜者;及,一液晶封止步骤,系以第1配向膜及第2配向膜为内侧而将前述阵列基板与前述滤色片基板以一预定间隔相对向,并于前述阵列基板与前述滤色片基板间填充液晶后,将该液晶加以封止者;其中,前述阵列基板形成步骤包含以下子步骤:一第3电极形成子步骤,系于前述第1基板表面上将第3电极形成矩阵状者;一前置处理子步骤,系对形成有前述第3电极之基板表面的预定部分外之部分施以活性氢除去处理,以使预定部分成为露出活性氢密度较前述预定部分外之部分高的领域者;一成膜子步骤,系将具有可与活性氢反应之官能基、极性官能基及以共轭结合而结合之聚合性官能基的有机分子与前述露出活性氢密度较高之领域接触后,使前述有机分子与前述领域内之活性氢反应,并利用共有结合将由前述有机分子所构成之有机分子群固定于前述基板表面之预定部分者;一导电网路形成子步骤,系使构成前述有机分子群之分子相互共轭结合,以形成导电网路者;一对电极形成子步骤,系于前述第1基板上形成第1电极及第2电极者;及一配向膜形成子步骤,系于形成有前述第1电极、第2电极、第3电极及导电性有机薄膜之前述第1基板上形成配向膜者。100.一种电发光显示装置之制造方法,包含有:一阵列基板形成步骤,系于基板上形成复数做为开关元件之有机电子装置,并使该等有机电子装置呈矩阵状配列者;一发光层形成步骤,系于前述阵列基板上形成一由可藉施加电压而发光之萤光物质所构成的萤光层者;及,一共通电极形成步骤,系于前述发光层上形成共通电极膜者;其中,前述阵列基板形成步骤包含以下子步骤:一第3电极形成子步骤,系于前述基板表面上将第3电极形成矩阵状者;一前置处理子步骤,系对形成有前述第3电极之基板表面的预定部分外之部分施以活性氢除去处理,以使预定部分成为露出活性氢密度较前述预定部分外之部分高的领域者;一成膜子步骤,系将具有可与活性氢反应之官能基、极性官能基及以共轭结合而结合之聚合性官能基的有机分子与前述露出活性氢密度较高之领域接触后,使前述有机分子与前述领域内之活性氢反应,并利用共有结合将由前述有机分子所构成之有机分子群固定于前述基板表面之预定部分者;一导电网路形成子步骤,系使构成前述有机分子群之分子相互共轭结合,以形成导电网路者;及一对电极形成子步骤,系于前述基板上形成第1电极及第2电极者。101.如申请专利范围第98或100项的电发光显示装置之制造方法,其系于前述发光层形成步骤中,将3种可发出红、蓝或绿色光之发光物质形成于预定位置后,使其进行颜色显示。图式简单说明:第1图系第1实施形态之2端子有机电子装置的模式化剖面图。第2图系第2实施形态之2端子有机电子装置的模式化剖面图。第3图系用以说明第3实施形态之2端子有机电子装置的动作方法之图,(a)系用以说明导电性有机薄膜对光照射之导电性变化的模式化说明图,而(b)则系用以说明伴随切光异构化之切换动作的模式化说明图。第4图系第4实施形态之3端子有机电子装置的模式化剖面图。第5图系第5实施形态之3端子有机电子装置的模式化剖面图。第6图系用以说明第6实施形态之2端子有机电子装置的动作方法之图,(a)系用以说明导电网路之导电率与施加于第3电极之电压间的依存性之模式化说明图,而(b)则系用以说明根据有无对第3电极施加电压而进行之切换动作的模式化说明图。第7图系显用以说明制造实施例1之2端子有机电子装置的方法,并将形成有单分子膜之状态扩大至分子等级之模式化剖面图。第8图系用以说明制造实施例1之2端子有机电子装置的方法,并将藉聚合形成有导电网路之状态扩大至分子等级之模式化剖面图。第9图系用以说明利用光线来切换实施例1之2端子有机电子装置的状况之模式化剖面图。第10图系用以说明制造实施例2之3端子有机电子装置的方法,并显示已于形成第3电极后,进行电场氧化之状态的模式化剖面图。第11图系显用以说明制造实施例2之3端子有机电子装置的方法,并将形成有单分子膜之状态扩大至分子等级之模式化剖面图。第12图系用以说明利用电场来切换实施例2之3端子有机电子装置的状况之模式化剖面图。第13图系用以说明实施例5之2端子有机电子装置的制造方法(前置处理步骤)之模式化图,(a)系显示已形成抗蚀图形之状态的立体图,而(b)则系(a)的局部扩大剖面图。第14图系用以说明实施例5之2端子有机电子装置的制造方法(前置处理步骤)之模式化剖面图,并显示活性氢露出化处理之状况。第15图系用以说明实施例5之2端子有机电子装置的制造方法(成膜步骤)之模式化剖面图。第16图系将第15图之A部扩大至分子等级之模式化剖面图。第17图系已形成导电网路之状态的模式化剖面图。第18图系用以说明实施例5之2端子有机电子装置的制造方法(对电极形成步骤)之模式化剖面图。第19图系用以说明利用光线来切换以实施例5之2端子有机电子装置的制造方法所制造之装置的状况之模式化剖面图。第20图系用以说明实施例6之3端子有机电子装置的制造方法(第3电极形成步骤)之模式化剖面图。第21图系用以说明实施例6之3端子有机电子装置的制造方法(前置处理步骤)之模式化剖面图。第22图系用以说明实施例6之3端子有机电子装置的制造方法(成膜步骤)之模式化剖面图。第23图系用以说明实施例6之3端子有机电子装置的制造方法(对电极形成步骤)之模式化剖面图。第24图系用以说明利用电场来切换以实施例6之3端子有机电子装置的制造方法所制造之装置的状况之模式化剖面图。第25图系用以说明实施例7之2端子有机电子装置的制造方法(前置处理步骤)之模式化剖面图,(a)系显示已形成抗蚀图形之状态者,而(b)则系显示已于活性氢露出化处理后,除去抗蚀图形之状态者。第26图系用以说明实施例7之2端子有机电子装置的制造方法(成膜步骤)之模式化剖面图。第27图系用以说明实施例7之2端子有机电子装置的制造方法(对电极形成步骤)之模式化剖面图。第28图系用以说明实施例8之3端子有机电子装置的制造方法(第3电极形成步骤)之模式化剖面图。第29图系用以说明实施例8之3端子有机电子装置的制造方法(前置处理步骤)之模式化剖面图,(a)系显示已形成抗蚀图形之状态者,而(b)则系显示已于活性氢露出化处理后,除去抗蚀图形之状态者。第30图系用以说明实施例8之3端子有机电子装置的制造方法(成膜步骤)之模式化剖面图。第31图系用以说明实施例8之3端子有机电子装置的制造方法(对电极形成步骤)之模式化剖面图。 |
