发光元件

摘要

本发明为提供透光性、耐热性、钝化性(阻气性、防止低聚物吐出性、减低吐出气体)、耐吸水(湿)性、化学恶化安定性、尺寸型态安定性、防止表面反射性、电绝缘性、耐紫外线恶化性、进而耐候性优良，且于常压下可成膜等之生产性优良之基材、具有保护材料之发光元件，进而提供信性高、制造容易、且低费用之发光元件为其目的，为了达成此目的，作成具有可挠性、透光性及耐热性之基材1、和其上所形成之具有光穿透性之下层电极4、发光层4、上层电极4，更且，至少由发光层4开始处理，于基板侧、或基板之反侧两者涂布聚矽氮烷并且氧化处理所得之二氧化矽膜和/或二氧化矽系膜3之构成的发光元件。

主权项

1.一种发光元件,其为具有至少具透光性及耐热性之基材,于其上所形成具有光穿透性之下层电极、发光层、和上层电极,更且,至少由发光层开始处理,于基板侧、或基板之反侧两者涂布聚矽氮烷并且氧化处理所得之二氧化矽膜和/或二氧化矽系膜。2.如申请专利范围第1项之发光元件,其中该基材为以玻璃或树脂材料所形成。3.如申请专利范围第1项之发光元件,其为至少于基材与发光层之间具有该二氧化矽膜和/或二氧化矽系膜。4.如申请专利范围第3项之发光元件,其为于该基材上形成TFT,并于此TFT上具有发光层。5.如申请专利范围第1项之发光元件,其为至少于基皮之两侧具有该二氧化矽膜和/或二氧化矽系膜。6.如申请专利范围第1项之发光元件,其中该二氧化矽膜和/或二氧化矽系膜为于加热和/或加湿下进行氧化处理。7.如申请专利范围第1项之发光元件,其中该聚矽氮烷和/或其改质物为具有下述构造式所示之构造单位,[R1.R2及R3为表示烷基。但,R1.R2及R3之至少一者为氢原子]。8.如申请专利范围第7项之发光元件,其中该烷基之总碳数为6个以下。9.如申请专利范围第7项或第8项之发光元件,其中该二氧化矽膜和/或二氧化矽系膜为数平均分子量100~50000之聚矽氮烷和/或其改质物为经陶瓷化之膜。10.如申请专利范围第1项之发光元件,其为EL元件。图式简单说明:图1为示出本发明发光元件之有机EL元件之基本构成的截面概略构成图。图2为示出本发明发光元件之无机EL元件之基本构成的截面概略构成图。图3为示出以实施例3-1所制作之本发明发光元件之有机EL元件之基本构成的截面概略构成图。图4为示出以实施例3-2所制作之本发明发光元件之有机EL元件之基本构成的截面概略构成图。