发明名称 半导体装置及其制造方法、电路基板以及电子机器
摘要 关于半导体装置及其制造方法,电路基板及电子机器,系在堆叠构造的半导体装置中,提高电路基板的实装良率。半导体装置,包含:复数的半导体晶片10;以及分别搭载前述各半导体晶片10,外形较前述半导体晶片大的复数基板。各基板叠层配置。其所形成的一对前述基板20,与设在较搭载半导体片10的领域更外侧的领域的第1端子40、41相接续,上下的半导体晶片10以电性方式接续。在最下层的基板20中,较第1端子41更内侧的领域,设有可与其中任一半导体晶片10以电性方式相接的第2端子50。相邻的第2端子50的间距,以较相邻的第1端子41的间距更宽的方式配置。
申请公布号 TW515078 申请公布日期 2002.12.21
申请号 TW090119813 申请日期 2001.08.13
申请人 精工爱普生股份有限公司 发明人 桥元伸晃
分类号 H01L25/00 主分类号 H01L25/00
代理机构 代理人 林志刚 台北巿南京东路二段一二五号七楼
主权项 1.一种半导体装置,包含:复数的半导体晶片;及分别搭载有前述各半导体晶片,外形较前述半导体晶片大的复数基板,而由前述各基板叠层配置所形成的一对前述基板,与设置于较前述基板中的前述半导体晶片所搭载的领域更外侧的领域的第1端子间相互连接,上下半导体晶片以电性力式连接,最下层的前述基板中,设有第2端子,系于较前述第1端子更为内侧的领域中,与任一半导体晶片以电性方式连接,相邻的前述第2端子的间距,较相邻的前述第1端子的间距以更宽广的方式配置。2.如申请专利范围第1项所述之半导体装置,其中,前述第1端子,在前述基板端部沿着前述半导体晶片边缘并列设置,而前述第2端子,形成包含搭载前述半导体晶片领域的领域。3.如申请专利范围第1项所述之半导体装置,其中,前述第1端子,包括自前述基板面突出形成的突出部分,前述上下半导体晶片,藉由前述第1端子的前述突起部以电性方式连接。4.如申请专利范围第3项所述之半导体装置,其中,前述基板中,形成有复数的第1贯通孔,前述第1端子的前述突起部,系隔介前述第1贯通孔,自前述基板面突出。5.如申请专利范围第3项或第4项所述之半导体装置,其中,前述基板中,形成有配线图案,前述第1端子为前述配线图案的一部份,前述第1端子的突起部,于与前述基板面间隔的方向,藉由弯曲以形成前述配线图案的一部分。6.如中请专利范围第3项或第4项所述之半导体装置,其中,前述基板中,形成有配线图案,前述第1端子的前述突起部,为可以电性方式连接前述配线图案的凸块。7.如申请专利范围第5项所述之半导体装置,其中,前述第2端子,包含:由与面对最下层的前述基板中的其他前述基板的面呈相反的面突出形成的外部端子。8.如申请专利范围第7项所述之半导体装置,其中,于最下层的前述基板中,形成有复数的第2贯通孔,前述第2端子的前述外部端子,隔介第2贯通洞,可突起于与其他前述基板面相对的面。9.如申请专利范围第7项所述之半导体装置,其中,前述第2端子的前述外部端子,为可以电性方式连接前述配线图案的凸块。10.如申请专利范围第7项所述之半导体装置,其中,前述第2端子,为前述配线图案的一部分。11.如申请专利范围第10项所述之半导体装置,其中,前述第2端子的前述外部端子,与面对前述基板面的呈相反的面相间隔的方向,藉由弯曲以形成前述配线图案的一部分。12.一种电路基板,包含:复数个半导体晶片;以及分别搭载有前述各半导体晶片且外形较前述半导体晶片为大的复数基板,而前述各基板呈叠层配置,其所形成的一对前述基板,与设置于较前述基板中的前述半导体晶片所搭载的领域更外侧的领域的第1端子间相连接,上下半导体晶片则以电性方式连接,最下层的前述基板,设有第2端子,于较前述第1端子更为内侧的领域中,与任一半导体晶片以电性方式连接搭载有半导体装置,其相邻的前述第2端子的间距,系以较相邻的前述第1端子的间距更宽广的方式配置,并利用前述第2端子以电性方式连接而成。13.一种具有半导体装置的电子机器,包含:复数的半导体晶片;分别搭载有各前述各半导体晶片且外形为较前述半导体晶片更大的复数基板,各前述基板呈叠层配置,叠层而成的一对上述基板,与设置于较前述基板中的前述半导体晶片的领域更外侧的领域的第1端子相连接,上下半导体晶片以电性力式连接,最下层的前述基板中,设有第2端子,系在前述第1端子更内侧领域,与任一半导体晶片以电性方式相连接,相邻之前述第2端子的间距,以较相邻之前述第1端子的间距更宽之方式配置。14.一种半导体装置之制造方法,包含一种工程:系拥有半导体晶片,叠层配置外形较前述半导体晶片更大的复数基板,并藉由设置在较各前述基板中的前述半导体晶片更外侧的领域的第1端子,与前述上下半导体晶片以电气方式相连接,最下层的前述基板,以电性方式与其中任一半导体晶片相连接,较前述第1端子更内侧的领域中,具有以较相邻之前述第1端子的间距更宽的间距而形成的第2端子。图式简单说明:第1图,系关于适用于本发明之第1实施形态之半导体装置的显示图。第2图,系关于适用于本发明之第1实施形态之半导体装置的显示图。第3图,系关于适用于本发明之第1实施形态之变形例之半导体装置的显示图。第4图,系关于适用于本发明之第2实施形态之半导体装置的显示图。第5图,系关于适用于本发明之实施形态之实装了半导体装置的电路基板之显示图。第6图,系关于适用于本发明之实施形态之拥有半导体装置的电子机械之显示图。第7图,系关于适用于本发明之实施形态之拥有半导体装置的电子机械之显示图。
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