| 主权项 |
1.一种氧化态(+1)的铜的配位错合物,藉一种配位基稳定化,它系用于作用铜蒸气相化学沈积者,具有以下通式(I):其中R'和R"系相同或不同者,其一低烷基可被一个或多个卤素原子如氟取代,R系从一氢原子、一卤素原子如氟、一低烷基(该低烷基可被一个或多个卤素原子取代)选出,而L表示该稳定化作用的配位基,其特征在:L为一炔,其键被该炔所带的一个或二个略吸引电子的基团部分地去活性。2.如申请专利范围第1项之错合物,其中:L为一炔,其键被分别在该键两边的二个略吸引电子的基团部分地去活性。3.一种氧化态(+1)铜配位错合物,利用一种配位基稳定化,它系用于铜蒸气相化学沈积者,其特征在该配位基具下式(II):或下式(III)或下式(IV)其中R1,R2,R3及R4为相同或不同者,它们系由一氢原子,一低烷基(它被一个或多个氟原子取代),及一-Si(R5)3(其中R5为一低烷基)选出,i与j为0-3,X1及X2可为相同或不同,表示一个略吸引电子的基团。4.如申请专利范围第3项之氧化态(+1)的铜配位错合物,它利用一配位基稳定化,它系用于作铜蒸气相化学沈积者,其特征在:该配位基为式(II)(III)或(IV)中的一种,其中X1与X2系相同或不同地为以下式(V)的游离基:其中R6.R7及R8系由一氢原子,一低烷基(被一个或多个氟原子取代者)、一Si(R5)3(其中R5为一低烷基)选出,或者R6与R2一齐、或R6与R1一齐,或二个R6游离基一齐形成下式(VI)的基:其中R9与R10系由一氢原子、一低烷基(它被一个或多个氟原子取代)一个Si(R5)3基(其中R5为一低烷基)选出,且k为1-3,以形成环形构造式的配位基。5.如申请专利范围第4项之错合物,其中:它系式(IV)之基,其中X1与X2为式(V)且i或j不为0。6.如申请专利范围第4项之错合物,其中:L为2-甲基-1-己烯-3-炔。7.如申请专利范围第4项之错合物,其中:L为1-己烯-3-炔。8.如申请专利范围第3项之氧化态(+1)的铜配位错合物,它用一配位基稳定物,且系用于铜蒸气相沈积者,其中:该配位基为式(II)(III)或(IV)中的一种,其中X1及X2系相同或不同地为下式(VII)的游离基:其中R6.R7.R8与申请专利范围第4项之定义同,且n为0-8。9.如申请专利范围第3项之氧化态(+1)的铜配位错合物,它用一种配位基稳定物,且系用于铜蒸气相化学沈积,其中:该配位基为式(IV),其中式(V)或式(VII)的X1及X2系不同者。10.如申请专利范围第3项之错合物,其中:该式(II)(III)(IV)(V)(VI)及(VII)中,该低烷基系从直链或分枝之C1-C8烷基选出,它们可被一个或多个氟原子取代。11.一种将金属铜膜以蒸气相作化学沈积到一基质上的程序,系将该基质与一种蒸气相的挥发性有机金属铜的前与身物接触,其特征在:利用如申请专利范围第1项或第3项之错合物作为前身物。 |
