| 主权项 |
1.一种记忆体胞元装置,包含:第一与第二资料层包含磁性材料;以及一抗铁磁式地被耦合层对被配置该等第一与第二资料层间。2.如申请专利范围第1项所述之装置,其中该第一资料层用高度G1之一第一隔离层与一第一基准层被隔离,其中该第二资料层用高度G2之一第二隔离层与一第二基准层被隔离,其中G1≠G2。3.如申请专利范围第2项所述之装置,其中每一隔离层为一障层包含一非传导性、非磁性之材料。4.如申请专利范围第2项所述之装置,其中每一隔离层为一障层包含一非传导性、磁性之材料。5.如申请专利范围第1,2,3或4项所述之装置,其中该等第一与第二资料层具有不同的矫顽磁性。6.如申请专利范围第1,2,3或4项所述之装置,其中该第一资料层之高度T1与该第二资料层之高度T2不同,使得T1≠T2。7.如申请专利范围第6项所述之装置,其中T2>T1,其中该第二资料层之长度大于该第一资料层之长度。8.如申请专利范围第1,2,3或4项所述之装置,其中该抗铁磁式地被耦合层对被一传导性的耦合层隔离。9.一种构建记忆体胞元之方法,包含的步骤为:(a)在一半导体基底上形成一第一铁磁层(830);(b)在一第一铁磁层上形成一第二铁磁层(860);(c)形成一抗铁磁式地被耦合层对(840,844)其中该对层被配置于该等第一与第二铁磁层间。10.如申请专利范围第9项所述之方法,进一步包含之步骤为:(d)在每一该等铁磁层与该抗铁磁式地被耦合层对间形成一非传导性的隔离层(832,850)。图式简单说明:第1图显示具有GMR胞元结构之磁性记忆体胞元的一实施例。第2图显示一TMR胞元结构之一实施例。第3图显示因基准层之静磁场结果所致的与基准层之磁向量成反平行的资料层之磁向量。第4图显示多位元磁性记忆体胞元胞元结构之一实施例。第5图显示对应于第4图之资料层中磁向量的相对排向之电阻値表。第6图显示具有长度变化之资料层的一记忆体胞元结构实施例。第7图显示3位元磁性记忆体胞元结构之一实施例。第8图显示形成具有抗铁磁式地被耦合层对被配置于二资料层间之多位元磁性记忆体胞元的一方法之实施例。 |
