| 主权项 |
1.一种单块陶瓷电子元件的制造方法,它包括下列步骤:提供陶瓷浆体、导电胶和陶瓷浆糊;形成多个复合结构,各个结构包括由陶瓷浆体成形制成的陶瓷坯料片,由导电胶局部施涂在陶瓷坯料片主表面上形成从而造成阶梯状区域的内线路元件薄膜,以及用于补偿该阶梯状区域造成的空隙的陶瓷坯料层,所述陶瓷坯料层是将陶瓷浆糊施涂在陶瓷坯料片主表面上未形成元件薄膜的区域从而实质补偿所述空隙之而制得的;将复合结构叠合在一起形成叠合物坯料;以及烧制该叠合物坯料,其中用于形成陶瓷浆糊的方法包括:第一分散步骤,该步骤对含有陶瓷粉末和第一有机溶剂的第一混合物进行初次分散;第二分散步骤,该步骤对含有有机粘合剂和经第一分散步骤处理的第一混合物的第二混合物进行二次分散;将相对蒸发速率低于第一有机溶剂的相对蒸发速率的第二有机溶剂加至第一混合物和/或第二混合物的步骤;以及通过加热第二混合物从该混合物中选择性地除去第一有机溶剂的步骤。2.如申请专利范围第1项的单块陶瓷电子元件的制造方法,其特征在于在第一分散步骤中所述第一混合物包括有机分散剂。3.如申请专利范围第1或2项的单块陶瓷电子元件的制造方法,其特征在于第一有机溶剂在20℃的相对蒸发速率为100或更高,第二有机溶剂在20℃的相对蒸发速率为50或更低。4.如申请专利范围第1项的单块陶瓷电子元件的制造方法,其特征在于形成陶瓷浆糊的方法还包括在第二分散步骤后但除去步骤前过滤第二混合物的步骤。5.如申请专利范围第1项的单块陶瓷电子元件的制造方法,其特征在于形成陶瓷浆糊的方法还包括将有机粘合剂溶解在第一有机溶剂和/或第二有机溶剂中,形成有机载体的步骤,以及对该有机载体进行过滤的步骤,所述第二混合物包括包含在经过滤的有机载体中的有机粘合剂。6.如申请专利范围第1项的单块陶瓷电子元件的制造方法,其特征在于所述第一有机溶剂的沸点低于第二有机溶剂的沸点。7.如申请专利范围第6项的单块陶瓷电子元件的制造方法,其特征在于第一有机溶剂和第二有机溶剂的沸点相差50度或更多。8.如申请专利范围第1项的单块陶瓷电子元件的制造方法,其特征在于陶瓷浆体所含的陶瓷粉末的组成与陶瓷浆糊所含的陶瓷粉末的组成基本相同。9.如申请专利范围第1项的单块陶瓷电子元件的制造方法,其特征在于分别包含在陶瓷浆体和陶瓷浆糊中的陶瓷粉末均是介电陶瓷粉末。10.如申请专利范围第9项的单块陶瓷电子元件的制造方法,其特征在于所述内线路元件薄膜是内电极,内电极的排列方式使该电极之间产生电容,所述单块陶瓷电子元件是单块陶瓷电容器。11.如申请专利范围第1项的单块陶瓷电子元件的制造方法,其特征在于分别包含在陶瓷浆体和陶瓷浆糊中的陶瓷粉末是磁性陶瓷粉末。12.如申请专利范围第11项的单块陶瓷电子元件的制造方法,其特征在于所述内线路元件薄膜是状导电膜,所述单块陶瓷电子元件是单块电感器。13.一种制造陶瓷浆糊的方法,它包括:第一分散步骤,该步骤对含有陶瓷粉末和第一有机溶剂的第一混合物进行初次分散;第二分散步骤,该步骤对含有有机粘合剂和经第一分散步骤处理的第一混合物的第二混合物进行二次分散;将相对蒸发速率低于第一有机溶剂的相对蒸发速率的第二有机溶剂加至第一混合物和/或第二混合物的步骤;以及通过加热第二混合物从该混合物中选择性地除去第一有机溶剂的步骤。图式简单说明:图1是本发明一个实例的部分叠合物坯料3a的剖面示意图,说明感兴趣的单块陶瓷电容器的制造方法;图2是复合结构6部分的平面图,该结构是用图1所示的单块陶瓷电容器的制造方法制得的;图3是叠合晶片4a的平面图,它是用图1所示的单块陶瓷电容器的制造方法制得的;图4是本发明另一个实例中,构成用于制造单块电感器的叠合物坯料13的元件分解透视图;图5是含有叠合晶片12的单块电感器11的外观透视图,该单块电感器是通过烧制图4所示的叠合物坯料13而制得的;图6是部分叠合物坯料3的剖面图,说明感兴趣的常规单块陶瓷电容器的制造方法;图7是部分陶瓷坯料片2的平面图,在该坯料片上通过图6所示的单块陶瓷电容器的制造方法形成内电极1;以及图8叠合晶片4的剖面图,它是用图6所示的单块陶瓷电容器的制造方法制得的。 |
