| 主权项 |
1.一种磁性记录媒体,包含:a)一基材;b)一在基材上的底层;c)一粒状铁氧钴合金主层,形成于底层上,具有厚度于约1至30毫微米之范围;以及d)一铁氧覆盖层,形成于主层上且与主层接触,铁氧覆盖层包含至少一种选自由钴、铁和镍组成的组群之元素,具有有效厚度于约1至40埃之范围。2.如申请专利范围第1项之记录媒体,其中铁氧覆盖层进一步包含一种选自由铂和钯组成的组群之元素。3.如申请专利范围第1项之记录媒体,其中铁氧覆盖层进一步包含铬。4.如申请专利范围第1项之记录媒体,其中铁氧覆盖层包括由选自氧化钴、二氧化矽、和硼组成之组群之分隔材料分隔的铁氧材料晶粒。5.如申请专利范围第1项之记录媒体,其中铁氧钴合金主层包括铬。6.如申请专利范围第1项之记录媒体,其中铁氧主层晶粒进一步包含一种选自由钯、钽和铂组成之组群之元素。7.如申请专利范围第1项之记录媒体,其中粒状铁氧主层之晶粒包括一种选自由氧化钴、二氧化矽、硼、钛、锆、铪、银、铌、钨和金组成的组群之分隔材料。8.如申请专利范围第1项之记录媒体,其中铁氧覆盖层材料具有磁矩密度至少比铁氧主层材料磁矩密度大1.5倍。9.如申请专利范围第1项之记录媒体,其中铁氧覆盖层为一层镍钢合金连续薄膜。10.一种磁性记录碟,包含:a)一碟基材;b)一底层,包含铬沈积于碟基材上;c)一粒状铁氧主层,包含一种钴合金,包含CoxCry其中20<x<85及0<y<30原子百分比,以及40<(x+y)<90;以及d)一铁氧覆盖层,包含至少一种选自由Cou,Fcv,Niw组成的组群的元素,其中0<u<100,0<v<100,及0<w<100原子百分比,以及50<(u+v+w)<100原子百分比,且其中铁氧覆盖层具有有效厚度为1.0至40埃且系接触该主层。11.如申请专利范围第10项之记录碟,其中该碟基材系选自由涂覆以镍磷之铝、涂覆以镍铝之玻璃、矽、陶瓷石英、氧化镁和矽-碳化物组成的组群。12.如申请专利范围第10项之记录碟,其中该底层进一步包含一种选自由钴、钒、钛和氧组成的组群。13.如申请专利范围第10项之记录碟,其中该铁氧主层之厚度系于约1至30毫微米之范围。14.如申请专利范围第10项之记录碟,其中该铁氧主层进一步包含一种选自由Pdz,Taz,P1z于1<z<20原子百分比之范围组成的组群,以及其中40<(x+y+z)<100原子百分比。15.如申请专利范围第10项之记录碟,其中该铁氧主层之晶粒包括一种选自由氧化钴、二氧化矽、和硼组成的组群之分隔材料。16.如申请专利范围第10项之记录碟,其中该铁氧主层之晶粒系藉一种包含选自由钛、锆、铪、银、铌、钨和金组成的组群之元素的过渡金属分隔材料分隔;以及其中过渡金属分隔材料之有效主层浓度系于1至20原子百分比之范围。17.如申请专利范围第10项之记录碟,其中该覆盖层为一种包含铁氧晶粒的粒状覆盖层,包括一种选自由氧化钴、二氧化矽、和硼组成之组群之分隔材料。18.如申请专利范围第10项之记录碟,其中该覆盖层进一步包含一种选自由Ptt和Pdt于1<t<75原子百分比之范围组成的组群,以及其中75< (t+u+v+w)<100原子百分比。19.如申请专利范围第10项之记录碟,其中该铁氧覆盖层晶粒进一步包含Crs于1<s<25原子百分比之范围,以及其中75<(s+u+v+w)<100原子百分比。20.如申请专利范围第10项之记录碟,其中该碟之矫顽磁性系介于2至20kOe间。21.如申请专利范围第10项之记录碟,其中该底层厚度为200至1000埃。22.如申请专利范围第10项之记录碟,进一步包含一保护性碳覆盖层于该铁氧覆盖层上。23.一种制造一磁性记录媒体之方法,该方法包含下列步骤:a)提供一基材;b)沈积一底层于基材上;c)沈积一粒状铁氧钴合金主层,形成于底上且具有厚度于约1至30毫微米之范围:以及d)沈积一铁氧覆盖层,形成于主层上且接触主层,以及包含至少一种选自由Co,Fe和Ni组成的组群的元素,铁氧覆盖层具有有效厚度于约1至40埃之范围。图式简单说明:图1示例说明根据先前技术制造之磁碟之剖面图,附有一断路层和一软维持层沈积于磁性记录层上。图2为根据本发明制造之磁性记录碟片之剖面代表图。图3为本发明之磁碟之顶视图,示例说明由铁氧覆盖材料部分遮盖铁氧主层。图4为图3所示磁碟之部分剖面图,表示由铁氧覆盖层岛耦合铁氧主层小晶粒,以及进一步表示二磁性位元。图5为表列举使用钴铂铬合金铁氧主层和不同厚度之铁氧钴覆盖材料制成的三种磁性结构。图6为磁性结构(其资料列举于图5之表)磁化衰减速率相对于应用的反相场。图7为磁性结构之残余磁化相对于应用场,该结构带有钴铂铬硼铁氧主层和各种厚度的高导磁合金(镍钢)铁氧覆盖层。图8为相同磁性结构之磁化衰减速率之线图,该结构之资料作图于图7。 |
