| 主权项 |
1.一种制造薄膜电晶体液晶显示器元件的方法,该液晶显示器元件具有:一背基板、一相对于该背基板的前基板、一液晶单元,位于前基板和背基板之间、一画素电极,形成于背基板上、一对应电极,形成于背基板上并与画素电极一起产生平行背基板表面的水平分量电场、和一薄膜电晶体,其具有一闸极电极,一源极电极,和一汲极电极;薄膜电晶体供应影像讯号电压于该画素电极和该对应电极之间;是种液晶显示器元件的制造方法,具有下列步骤:形成一保护层在该已经形成薄膜电晶体的背基板上;对该保护层制图,使该薄膜电晶体的汲极电极部份露出;形成画素电极的透明导电层在该已经露出汲极电极的背基板上;以及对该画素电极的透明导电层制图,以形成该画素电极;而其特征在于:是种方法更包括下列步骤:依序沈积一对应电极的透明导电层和一闸极滙流线的金属层于背基板上;形成一第一光阻层于该闸极滙流线的沈积金属层上;以扫描光曝光该第一光阻层使得在形成该对应电极区域上方的第一光阻层部分照光;对该第一光阻层制图,使得在部份照光的第一光阻层下方的闸极滙流线的金属层区域不被照光;对该闸极滙流线的金属层制图,其系藉着使用已制图的第一光阻层作为障碍层,如此,所述对应电极区域和闸极滙流线区域乃被定义;对该对应电极的透明导电层制图,其系藉着使用已制作图形的所述金属层作为障碍层,以形成该对应电极;对该闸极滙流线的金属层制图,其系藉着使用已制作图形的第一光阻层作为障碍层,以形成该闸极滙流线;形成薄膜电晶体在该已经形成闸极滙流线的背基板上。2.根据申请专利范围第1项之方法,其中该画素电极的透明导电层为ITO金属层。3.根据申请专利范围第1项之方法,其中该闸极滙流线的金属层乃可以用乾蚀刻制图者。4.根据申请专利范围第1项之方法,其中曝光该第一光阻层的步骤中,系使用第一光罩,其对应电极上方区域的第一光阻层部份区域具有配置成格子状的开口和闭口部分。5.根据申请专利范围第1项之方法,其中:曝光该第一光阻层的步骤中,系以扫描光曝光该第一光阻层,如此,一用以形成资料接点和闸极接点的资料接点区域和闸极接点区域乃分别定义在背基板的边缘;对该闸极滙流线金属层制图的步骤乃藉由对该金属层制图而使闸极滙流线可以同时与资料接点和闸极接点一起形成;对该保护层制图的步骤乃是对保护层制图使资料接点和闸极接点露出;而且形成该画素电极透明导电层的步骤,系藉由形成画素电极的透明导电层与露出的资料接点和闸极接点接触。6.根据申请专利范围第1项之方法,其中形成薄膜电晶体的步骤具有下列步骤:依序沈积一闸极绝缘层,一通道的非晶矽层,一欧姆接触的掺杂半导体层,和一源极/汲极电极的金属层在已经形成该对应电极和该闸极滙流线的背基板上;形成一第二光阻层在该源极/汲极电极的沈积金属层上;以扫描光曝光该第二光阻层的部分使定义在源极电极和汲极电极区域之间的源极/汲极电极的金属层部份照光;对该第二光阻层制图,使得在该部份照光的第二光阻层下方的金属层区域不会露出;使用已制作图形的第二光阻层作为障碍层,对该源极/汲极电极的金属层制图,以定义该源极电极区域和该汲极区域;使用已制作图形的金属层作为障碍层,对欧姆接触的该掺杂半导体层制图,以定义源极电极和汲极电极欧姆接触的欧姆接触区域;使用已制作图形的掺杂半导体层作为障碍层,对该通道的非晶矽层制图,以形成薄膜电晶体的通道;使用已制作图形的第二光阻层作为障碍层,对该源极/汲极电极的金属层制图,以形成源极和汲极电极;以及使用已制作源极电极汲极电极作为障碍层,对该掺杂半导体层制图,以形成源极电极汲极电极的欧姆接触。7.根据申请专利范围第6项之方法,其中使用第二光罩对该第二光阻层曝光的步骤,系其对应定义在源极电极区域和汲极电极区域之间的源极/汲极电极的金属层区域上方的该第二光阻层区域配置成格子状的开口和闭口部分。8.根据申请专利范围第6项之方法,其中该闸极绝缘层、该通道的非晶矽层和该欧姆接触的掺杂半导体层以电浆增加化学气相沈积的方式形成。9.根据申请专利范围第6项之方法,其中该闸极绝缘层为以常压气相化学沈积所形成的氧化矽。图式简单说明:第1图是根据传统方法制造栅状电场模式液晶显示器元件的平面图;第2图是传统制造栅状电场模式液晶显示器元件方法的横截面图;第3图是本发明制造栅状电场模式液晶显示器元件方法的平面图;第4A图到第4E图是本发明实施例制造栅状电场模式液晶显示器元件方法第一光蚀刻制程的横截面图;第5A图到第5E图是本发明实施例制造栅状电场模式液晶显示器元件方法第二光蚀刻制程的横截面图;第6图是本发明实施例制造栅状电场模式液晶显示器元件方法第三光蚀刻制程的横截面图;第7图是本发明实施例制造栅状电场模式液晶显示器元件方法第四光蚀刻制程的横截面图。 |
