| 主权项 |
1.一种静电放电保护电路之金氧半电晶体结构,该静电放电保护电路包括一P型金氧半电晶体与一N型金氧半电晶体,该P型与该N型金氧半电晶体系位于一半导体基底内,且皆包括:一掺杂区,该掺杂区位于该半导体基底内;一源极区,该源极区位于该掺杂区内,且该源极区与该掺杂区之掺杂型态相异;一汲极区,该汲极区位于该掺杂区内,且该汲极区与该掺杂区之掺杂型态相异;一闸极结构,位于该掺杂区之上,该源极区与该汲极区之间;一第一金属矽化物层,位于该源极区之上;一第二金属矽化物层,位于该汲极区之上,但仅覆盖部分的该汲极区之表面,而未覆盖靠近闸极结构的该汲极区之表面;以及一埋藏式通道,位于该掺杂区中,且位于该闸极结构下方之该掺杂区表面的下方。2.如申请专利范围第1项所述之静电放电保护电路之金氧半电晶体结构,其中形成该埋藏式通道之方法包括降低该闸极结构下方之该掺杂区表面下方部分的掺杂浓度。3.如申请专利范围第2项所述之静电放电保护电路之金氧半电晶体结构,其中降低该闸极结构下方之该掺杂区表面下方部分的掺杂浓度的方法,包括植入一离子于该闸极结构下方之该掺杂区表面下方的部分,其中该离子之型态与该掺杂区之掺杂型态相异,且该离子之植入浓度较该离子植入前之该掺杂区的掺杂浓度为低。图式简单说明:第1图为一般习知的静电放电保护电路。第2图为一般习知的静电放电保护电路中,N型金氧半电晶体QN之简图。第3图为本发明之一较佳实施例中,静电放电保护电路中N型金氧半电晶体之结构,其中通道为埋藏式通道,而汲极金属矽化物之覆盖区域包括靠近闸极结构的汲极区表面。第4图为本发明之另一较佳实施例中,静电放电保护电路中N型金氧半电晶体之结构,其中通道位于P型掺杂区之表面,且汲极金属矽化物未覆盖靠近闸极结构的汲极区表面。第5图为本发明之另一较佳实施例中,静电放电保护电路中N型金氧半电晶体之结构,其中通道为埋藏式通道,且汲极金属矽化物未覆盖靠近闸极结构的汲极区表面。第6图显示第2图至第5图中的N型金氧半电晶体运作时的等效电路。 |
