| 主权项 |
1.一种半导体晶圆之制造方法,系具备利用RTA装置,在所定温度做半导体晶圆热处理之工程,其特征系,至少于上述半导体晶圆与支撑半导体晶圆的支撑治具间的接触部分之温度,控制在低于半导体晶圆中心部温度3-20℃,来施行热处理。2.一种半导体晶圆之制造方法,系具备利用RTA装置,在所定温度做半导体晶圆热处理之工程,其特征系,上述热处理中之半导体晶圆之温度分布系为,该半导体晶圆之中心部是为所定温度,其所定温度是从该半导体晶圆之中心部朝该半导体晶圆之外围部,做降低之分布,且,该半导体晶圆中心部与支撑该半导体晶圆的支撑治具间的接触部分的温度差,控制在3-20℃之温度分布范围内之状态,施行热处理。3.如申请专利范围第1项所述之半导体晶圆之制造方法,其中,上述所定温度系为1100-1300℃。4.如申请专利范围第2项所述之半导体晶圆之制造方法,其中,上述所定温度系为1100-1300℃。5.如申请专利范围第1项所述之半导体晶圆之制造方法,其中,上述半导体晶圆是为直径200㎜以上之矽单结晶晶圆。6.如申请专利范围第2项所述之半导体晶圆之制造方法,其中,上述半导体晶圆是为直径200㎜以上之矽单结晶晶圆。7.如申请专利范围第3项所述之半导体晶圆之制造方法,其中,上述半导体晶圆是为直径200㎜以上之矽单结晶晶圆。8.如申请专利范围第4项所述之半导体晶圆之制造方法,其中,上述半导体晶圆是为直径200㎜以上之矽单结晶晶圆。9.如申请专利范围第1项至第8项所记载的任一项之半导体晶圆之制造方法,其中,上述热处理是为磊晶成长。图式简单说明:第1图系显示在实验例1中,其热处理中之晶圆中央部与外围部之温度差,及滑动转位全长之关系的曲线图。第2图系显示急速加热,急速冷装置(RTA装置)之一例的概略说明图。第3图系显示在实验例1中,使用之RTA装置的剖面构之概略说明图。 |
