| 主权项 |
1.一种管柱状电容器下电极的制造方法,包括下列步骤:提供一基底,该基底上已先后形成有一第一绝缘层、贯穿该第一绝缘层而与该基底中电性连接之一插塞、以及具有一开口之一第二绝缘层,该开口暴露出该插塞之表面与部分之该第一绝缘层的表面;形成共形之一第一导体层于该基底之上;以非等向性蚀刻法除去该开口底部与该开口外之该第一导体层,并保留该开口侧壁之该第一导体层;以及进行一选择性形成步骤,以形成一第二导体层于该第一导体层、该插塞、及该第一绝缘层之表面上,而使该插塞与该导体层电性连接,即完成一管柱状电容器下电极。2.如申请专利范围第1项所述之管柱状电容器下电极的制造方法,其中在该选择性形成步骤中,该第二导体层形成在该第一导体层、该插塞、及该第一绝缘层上的速率远大于形成在该第二绝缘层上的速率。3.如申请专利范围第1项所述之管柱状电容器下电极的制造方法,其中在该选择性形成步骤中,该第二导体层形成在该插塞与该第一绝缘层上的速率大致相同。4.如申请专利范围第1项所述之管柱状电容器下电极的制造方法,其中该选择性形成步骤为一选择性半球形矽晶粒形成步骤,且该第二导体层系由半球形矽晶粒堆积而成。5.如申请专利范围第1项所述之管柱状电容器下电极的制造方法,其中该插塞包括一非晶矽插塞。6.如申请专利范围第1项所述之管柱状电容器下电极的制造方法,其中该插塞为一多晶矽插塞,且该方法中更包括在该非等向性蚀刻步骤之后,进行一离子植入步骤,以使该多晶矽插塞上端之材质转变为非晶矽。7.如申请专利范围第6项所述之管柱状电容器下电极的制造方法,其中该离子植入步骤所植入之离子为矽离子或砷离子。8.如申请专利范围第1项所述之管柱状电容器下电极的制造方法,其中该第一绝缘层为一氮化矽层或一氮氧化矽层。9.如申请专利范围第1项所述之管柱状电容器下电极的制造方法,其中该第二绝缘层包括一磷矽玻璃层。10.如申请专利范围第1项所述之管柱状电容器下电极的制造方法,其中该第一导体层包括一多晶矽层。11.一种管柱状电容器下电极的制造方法,包括下列步骤:提供一基底,该基底上已先后形成有一第一绝缘层、贯穿该第一绝缘层而与该基底中电性连接之一插塞、以及具有一开口之一第二绝缘层,该开口暴露出该插塞之表面与部分之该第一绝缘层的表面;形成共形之一导体层于该基底之上;以非等向性蚀刻法除去该开口底部与该开口外之该导体层,并保留该开口侧壁之该导体层;以及进行一选择性半球形矽晶粒形成步骤,以形成半球形矽晶粒于该导体层、该插塞、及该第一绝缘层之表面上,其中形成之半球形矽晶粒的数量足以使该插塞与该导体层电性连接,而形成一管柱状电容器下电极。12.如申请专利范围第11项所述之管柱状电容器下电极的制造方法,其中在该选择性半球形矽晶粒形成步骤中,半球形矽晶粒在该第一导体层、该插塞、及该第一绝缘层上的形成速率远大于在该第二绝缘层上的形成速率。13.如申请专利范围第11项所述之管柱状电容器下电极的制造方法,其中在该选择性半球形矽晶粒形成步骤中,半球形矽晶粒在该插塞与该第一绝缘层上的形成速率大致相同。14.如申请专利范围第11项所述之管柱状电容器下电极的制造方法,其中该插塞包括一非晶矽插塞。15.如申请专利范围第11项所述之管柱状电容器下电极的制造方法,其中该插塞为一多晶矽插塞,且该方法中更包括在该非等向性蚀刻步骤之后,进行一离子植入步骤,以使该多晶矽插塞上端之材质转变为非晶矽。16.如申请专利范围第15项所述之管柱状电容器下电极的制造方法,在该离子植入步骤中,所植入之离子为矽离子或砷离子。17.如申请专利范围第11项所述之管柱状电容器下电极的制造方法,其中该第一绝缘层为一氮化矽层或一氮氧化矽层。18.如申请专利范围第11项所述之管柱状电容器下电极的制造方法,其中该氮化矽层或该氮氧化矽层之厚度介于100至500之间。19.如申请专利范围第11项所述之管柱状电容器下电极的制造方法,其中该第二绝缘层包括一磷矽玻璃层。20.如申请专利范围第11项所述之管柱状电容器下电极的制造方法,其中该第一导体层包括一多晶矽层。图式简单说明:第1图至第3图所绘示为本发明之较佳实施例中,管柱状电容器下电极的制造方法流程剖面图。 |
