| 主权项 |
1.一种供微电子或光电产业用的基底(50)加工方法, 至少在基底之一表面上包括之一个工作层(52),此 方法包括在工作层自由表面(54)的化学机械研磨步 骤,特征在于也包括在研磨步骤(200,200A,200B,200C,200D )之前,在还原性氛围(100,100A,100B,100C,101D,102D)中进 行退火之步骤。2.如申请专利范围第1项的方法,特 征在于在还原性氛围中进行退火之步骤不超过3分 钟,最好少于60秒且甚至最好在30秒以内。3.如申请 专利范围第1或2项之方法,特征在于在还原性氛围 中退火步骤是在1100℃与1300℃之间实施,且较佳在 1200℃与1230℃之间。4.如申请专利范围第1项之方 法,特征在于在研磨步骤(200,200A,200B,200C,200D)后,也 包括在至少部分的工作层(52)厚度上实施氧化之步 骤(310A,312B,312C)。5.如申请专利范围第1项之方法, 特征在于在研磨步骤(200,200A,200B,200C,200D)后,也包 括在至少部分的工作层(52)厚度上实施氧化之步骤 (311B,311C)。6.如申请专利范围第4项之方法,特征在 于也包括至少一次去氧化步骤(330A,331B,332B,331C,332C )。7.如申请专利范围第4项之方法,特征在于也包 括至少一次热加工步骤(320A,321B,322B,321C,322C),该工 作层(52)氧化步骤系在该热加工步骤(320A,321B,322B, 321C,322C)结束前实施,以保护其余的工作层(52)。8. 如申请专利范围第1项之方法,特征在于也包括在 研磨步骤(200,200A,200B,200C,200D)后,在还原性氛围(102D )中实施退火的步骤。9.如申请专利范围第1项之方 法,特征在于也包括在植入区中将原子植入晶圆某 一面的步骤、将该植入后之晶圆之面、与支撑基 底密合在一起的步骤,以及在植入区中将晶圆解理 (cleaving)的步骤,以便移转一些晶圆到支撑基底上 并在其上形成薄膜或薄层,此薄膜或薄层构成此工 作层(52),然后使其在还原性氛围(100,100A,100B,100C,101 D,102D)进行退火之步骤与进行研磨步骤(200,200A,200B, 200C,200D)。10.如申请专利范围第1项之方法,特征为 工作层(52)由半导体所构成。11.如申请专利范围第 10项的方法,特征为该半导体为矽。12.如申请专利 范围第1项之方法,特征为此还原性氛围包括氢气 。13.如申请专利范围第1项之方法,特征为此还原 性氛围包括氩气。图式简单说明: -图1概略地显示依本发明方法的纵切面,其是一个 在含氢氛围中执行每项退火步骤的燃烧室样品; -图2概略地显示,在沿着垂直于其主要表面的剖面 中,依本发明,于加工过程当中的基底; -图3概略地显示,在沿着垂直于其主要表面的剖面 中,依本发明的变化,于加工过程当中的基底; -图4概略地显示,在沿着垂直于其主要表面的剖面 中,依本发明的另一个变化,于加工过程当中的基 底; -图5概略地显示,在沿着垂直于其主要表面的剖面 中,依本发明第三个变化,于加工的过程当中的基 底和; -图6概略地显示,在沿着垂直于其主要表面的剖面 中,依本发明第四个变化,于加工的过程当中的基 底; |
