| 主权项 |
1.一种以薄膜电晶体作为主动元件之液晶显示器, 包括有: 数条闸极线,系互相平行排列且沿第一方向延伸; 复数条资料线,系互相平行排列且沿第二方向延伸 ,并与该复数条闸极线呈垂直交错;以及 复数个画素区,系由该复数条闸极线与该复数条资 料线所构成之矩阵排列的矩形区域; 其中,每一个画素区包含有一画素电极系覆盖于该 矩形区域上,一薄膜电晶体系设置于该闸极线之第 一区域上,一电容器系设置于该闸极线之第二区域 上,以及一金属屏蔽层线设置于该闸极线与该资料 线之交叉处上方。2.如申请专利范围第1项所述之 液晶显示器,其中该金属屏蔽层系与该资料线形成 电连接。3.如申请专利范围第2项所述之液晶显示 器,其中该金属屏蔽层包含有一延伸区域,系与该 薄膜电晶体之源极电极形成电连接。4.如申请专 利范围第2项所述之液晶显示器,其中该金属屏蔽 层系由ITO材质所构成。5.如申请专利范围第1项所 述之液晶显示器,其中该电容器之储存电容系设置 于该闸极线之第二区域,而覆盖该储存电容之该画 素电极系用来作为一上电容板。6.如申请专利范 围第5项所述之液晶显示器,其中该上电容板系由 一ITO材质所构成。7.如申请专利范围第5项所述之 液晶显示器,其中该电容器包含有复数个具有倾斜 侧壁之储存电容,系平行排列于该闸极线之第二区 域的凸出部份。8.如申请专利范围第1项所述之液 晶显示器,其中该画素电极系由ITO材质所构成。9. 一种以薄膜电晶体作为主动元件之液晶显示器的 制作方法,包含有下列步骤: (a)提供一基板; (b)于该基板上形成一闸极线以及一预定资料线之 图案,其中该闸极线之第一区域系作为一闸极,该 闸极线之第二区域系作为一储存电容; (c)依序于该玻璃基板上形成一绝缘层、一第一半 导体层、一第二半导体层与一第二金属层,并使该 预定资料线图案上方之第二金属层定义形成一资 料线,并使该闸极上方之该第二金属层、该第二半 导体层与该第一半导体层定义形成一岛状结构; (d)于该岛状结构上形成一第一开口,并将储存电容 上方之该第二金属层与该第二半导体层去除,其中 该第一开口系将该第二金属层分隔成一源极电极 与一汲极电极,且将该第二半导体层分隔成一源极 区与一汲极区; (e)于该基板上形成一保护层,再将部份该保护层去 除,以分别于该资料线、该源极电极、该汲极电极 上形成一第二开口、第三开口与第四开口,同时将 该储存电容上方之第一半导体层与该保护层去除 以形成一第五开口,其中该第二开口位于该资料线 与该闸极线之交叉处上方;以及 (f)于该基板上形成一透明导电层以填满该第二、 第三、第四与第五开口,再将该透明导电层定义形 成一金属屏蔽层、一画素电极与一上电容板之图 案; 其中,该金属屏蔽层系填满该第二开口并覆盖该资 料线与该闸极线之交叉处上方,而且该金属屏蔽层 系延伸覆盖该源极电极之第三开口;该画素电极系 填满该第四开口且覆盖该闸极线与该资料线所构 成之近似矩形区域;该上电容板系填满该第五开口 以覆盖该储存电容之上方区域。10.如申请专利范 围第9项所述之制作方法,其中该储存电容系一块 状且凸出该闸极线之第二区域。11.如申请专利范 围第9项所述之制作方法,其中该储存电容系由复 数个具有倾斜侧壁之条状所构成,系平行排列且凸 出于该闸极线之第二区域。12.如申请专利范围第9 项所述之制作方法,其中该绝缘层系由一氧化矽层 与一氮化矽层所构成。13.如申请专利范围第9项所 述之制作方法,其中该第一半导体层系由非晶矽所 构成。14.如申请专利范围第9项所述之制作方法, 其中该第二半导体层系由掺杂之非晶矽所构成。 15.如申请专利范围第9项所述之制作方法,其中该 透明导电层系由ITO材质所构成。16.如申请专利范 围第9项所述之制作方法,其中该一闸极线以及一 预定资料线之图案系由一第一金属层定义形成。 17.如申请专利范围第9项所述之制作方法,其中系 利用该闸极线与该预定资料线之图案作为罩幕,使 该预定资料线图案上方之第二金属层定义形成一 资料线。18.如申请专利范围第9项所述之制作方法 ,其中系利用一第一递减型光罩于该岛状结构上形 成一第一开口。19.如申请专利范围第9项所述之制 作方法,其中系利用一第二递减型光罩将部份该保 护层去除。图式简单说明: 第1A图为习知TFT-LCD的上视图。 第1B图为沿第1A图所示之切线I-I'、II-II'、III-III'的 剖面示意图。 第2图显示本发明第一实施例之TFT-LCD的上视图。 第3A-3D图系显示第2图所示之TFT-LCD的制作方法的上 视图。 第4A-4E图系沿第2图之切线I-I'、II-II'、III-III'显示 TFT-LCD的制作方法的剖面图。 第5A图显示本发明第二实施例之TFT-LCD的上视图。 第5B图系为沿第5A图之切线I-I'、II-II'、III-III'之剖 面示意图。 |
