| 主权项 |
1.一种曝光方法,系以曝光装置将第1及第2图案曝 光于基板,其特征在于: 与前述第1图案一起于该第1图案之既定区域内曝 光形成第1位置侦测用标记,将前述第1图案之至少 一部分重叠或邻接使前述第2图案曝光,同时于该 第2图案之既定区域内曝光形成第2位置侦测用标 记, 测量前述第1位置侦测用标记与前述第2位置侦测 用标记之相对位置, 根据该测量结果,调整曝光装置。2.如申请专利范 围第1项之曝光方法,其中,前述第1及第2图案,系曝 光于前述基板之设定位置,前述曝光装置之调整, 系变更前述第1或第2图案中至少一方之前述位置 的设定。3.如申请专利范围第1项之曝光方法,其中 ,系将前述第1图案与前述第2图案接合曝光于前述 基板,此时,前述第1位置侦测用标记及第2位置侦测 用标记,系配置于前述接合部附近。4.如申请专利 范围第1项之曝光方法,其中,为进行前述第1及第2 位置侦测用标记之测量,系使前述第1及前述第2位 置侦测用标记成为能同时测量之配置关系。5.如 申请专利范围第1项之曝光方法,其中,前述位置侦 测用标记系2维标记,前述测量时,系求出2方向之测 量结果。6.一种曝光装置,系将第1及第2图案曝光 于基板之设定位置,其特征在于,具备: 曝光部,系用以和前述第1图案一起于该第1图案之 既定区域内曝光第1位置侦测用标记,将前述第1图 案之至少一部分重叠或邻接来使前述第2图案曝光 ,同时于该第2图案之既定区域内使第2位置侦测用 标记曝光;以及 曝光装置,系根据以前述曝光部曝光之前述第1位 置侦测用标记与前述第2位置侦测用标记之相对位 置,来调整前述第1或第2图案中至少一方之位置设 定。7.一种光罩,系为了使用曝光装置将元件图案 投影于基板而形成有接合图案或重叠图案者,其特 征在于: 前述光罩之图案区域内,设有接合或重叠精度测定 用标记。8.如申请专利范围第7项之光罩,其中,前 述图案能藉由接合复数个图案来形成连续之图案, 前述精度测定用标记,系设于前述接合部附近。9. 一种曝光方法,系将图案曝光于基板之设定位置, 其特征在于: 预先于曝光图案之前,于基板上仅形成定位标记, 对前述定位标记进行位置测量,求出前述基板之变 形, 根据该基板之变形量,来调整前述位置之设定。图 式简单说明: 图1,系用以说明本发明之曝光装置之一实施形态 的概略构成图。 图2,系用以说明本发明之曝光方法之第1实施形态 的图,系用以说明基板上形成之图案及位置侦测用 标记的图。 图3,系用以说明使用本发明之曝光方法于基板上 形成之图案的图。 图4,系用以说明本发明之光罩之一实施形态的图 。 图5,系用以说明本发明之曝光方法之第2实施形态 的图,系以说明基板上形成之定位标记的图。 图6,系用以说明相对定位标记使图案曝光之状态 的图。 图7,系用以说明相对定位标记使图案曝光之状态 的图。 图8,系用以说明半导体元件之制程例的流程图。 图9,系用以说明习知技术之课题的图。 图10,系用以说明习知技术之课题的图。 |
