| 摘要 |
Halbleiterschutzschaltung, die aufweist: eine langsame Schutzschaltung, die einen Überstromdetektor hat, der einen Überstrom eines vorbestimmten Schaltelements detektiert, und die bei Detektierung des Überstroms das Halbleiterschaltelement abschaltet, und eine schnelle Schutzschaltung, die das Halbleiterschaltelement auf der Basis eines Spannungssignals, das zu einer Ausgangsspannung des Halbleiterschaltelements proportional ist, abschaltet. Die schnelle Schutzschaltung weist auf: einen MOSFET, dessen Drain mit einem Gate des Halbleiterschaltelements verbunden ist, eine Diode, die eine Kathode hat, die mit einem Gate des MOSFET verbunden ist, und eine Anode hat, durch die das zu dem Ausgangsstrom des Halbleiterschaltelements proportionale Spannungssignal in die Diode geführt wird, und einen Kondensator, dessen eines Ende mit einer Kathode der Diode und einem Gate des MOSFET verbunden ist. Die Halbleiterschutzschaltung kann den Strom zu einem Halbleiterschaltelement promt abschalten und sicherstellen, daß eine Zerstörung des Halbleiterschaltelements verhindert wird. |
