| 摘要 |
Die vorliegende Erfindung betrifft ein auf einer Isolationsschicht realisiertes Halbleiterbauelement mit einer ersten Zone (10) eines ersten Leitungstyps, einer zweiten Zone (20) eines zweiten Leitungstyps und einer zwischen der ersten Zone (10) und der zweiten Zone (20) ausgebildeten dritten Zone (30) eines zweiten Leitungstyps, wobei benachbart zu der ersten Zone (10) eine stark dotierte Zone (40) des zweiten Leitungstyps ausgebildet ist, die mit der ersten Zone (10) eine Tunneldiode bildet.
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