Deposition of silicon nitride layer on semiconductor wafer at pressure of over 10000 Pa,申请号GB20010030951-传众专利搜索

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发明名称	Deposition of silicon nitride layer on semiconductor wafer at pressure of over 10000 Pa
摘要
申请公布号	GB2376564(A)	申请公布日期	2002.12.18
申请号	GB20010030951	申请日期	2001.12.24
申请人	* NEC CORPORATION	发明人	SHINYA * ITO
分类号	H01L29/78;C23C16/34;H01L21/20;H01L21/318;H01L21/60;H01L21/768;H01L21/8234;(IPC1-7):H01L21/318	主分类号	H01L29/78
代理机构		代理人
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