深亚微米CMOS沟道及源漏制造技术中的工艺集成方法

摘要

本发明涉及一种集成电路深亚微米沟道及源漏制造技术中的工艺集成方法。0.15μ至0.18μCMOS制造工艺采用LDD NMOS器件结构和“仅有重掺杂源漏”的PMOS器件结构。在NMOS和PMOS器件边墙工艺完成之后,对两种器件同时进行N型杂质的倾斜角度的离子注入,N型杂质在PMOS晶体管沟道两侧的引入N－HALO能改进PMOS器件短沟道特性。"仅有重掺杂源漏"的PMOS结构使NMOS器件在完成源漏结构后可使用RTP高温退火,以保证NMOS晶体管栅耗尽特性,本发明方法使用了简捷的工艺步骤和PMOS器件架沟,可有效提高NMOS和PMOS晶体管的特性。

主权项

1、一种集成电路深亚微米沟道及源漏制造技术中的工艺集成方法，其特征在于：在NMOS和PMOS晶体管多晶图形定义完成之后，在“仅有重掺杂源漏结构”的PMOS晶体管边墙形成以前，在PMOS多晶两侧引入N型杂质，这一N型杂质的引入同时完成NMOS轻掺杂源漏(LDD)离子的注入，在此基础上，对PMOS晶体管进行光刻胶掩蔽，并完成NMOS轻掺杂源漏(LDD)离子注入；在完成对NMOS晶体管高掺杂源漏区域的注入后，用快速退火的方法对晶片进行退火，退火温度为1000至1100摄氏度，退火时间为10秒至60秒，以保证PMOS晶体管的栅耗尽特性能满足要求。