发明名称 | 半导体器件 | ||
摘要 | 一种半导体器件包括一个能向晶体管供给偏压的偏置电路,这个半导体器件由两端允许构成。此两端元件连接在外电源和至少一个晶体管输入之间。此两端元件由连接于晶体管输入端的第一导电接触层,连接至外电源的第二导电接触层,和具有半绝缘性的且插于第一和第二导电接触层之间的半导体层构成,因此,减少了由于温升引发的热失控效应。 | ||
申请公布号 | CN1096742C | 申请公布日期 | 2002.12.18 |
申请号 | CN99105714.7 | 申请日期 | 1999.04.09 |
申请人 | 日本电气株式会社 | 发明人 | 石仓幸治;金森干夫 |
分类号 | H03F1/30;H03F3/04 | 主分类号 | H03F1/30 |
代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人 | 刘晓峰 |
主权项 | 1.一种包括可为晶体管供给偏压的偏置电路的半导体器件,其特征在于此半导体器件有一个连接在外部电源和晶体管的至少一个输入端之间的两端元件,其有一个连接至晶体管输入端的第一导电接触层,一个连接至外电源的第二导电接触层和一个具有半绝缘性插于第一和第二导电接触层之间的半导体层。 | ||
地址 | 日本东京都 |