金属间电容器及其制造方法

摘要

本发明提供了一种半导体器件内部电容器的制造方法。在氧化物介质中形成直到下导电层的开口；淀积诸如钨的电容器电极材料以填充开口形成电容器电极并用化学/机械抛光平面化填充的开口；在电容器电极上方淀积可选的氧化物电容器介质并用光致抗蚀剂图形化电容器介质留下覆盖电容器电极区域的介质；剥掉光致抗蚀剂；在电容器介质的顶上加上上导电层作为电容器的顶极板。可重复上述步骤在半导体器件内形成多层电容器。

主权项

1·半导体器件或其它薄膜布线结构中电容器的形成方法，包括以下步骤：在氧化物介质中形成一个或多个氧化物开口直到在各开口的底部露出下导体层；在各氧化物开口中淀积用作电容器电极的电容器电极材料直到将开口充满并对充满的氧化物开口进行平面化处理以形成光滑表面；在光滑表面的顶部淀积介质材料，在介质材料的顶部涂敷并图形化光致抗蚀剂使各电容器电极全部为光致抗蚀剂所覆盖，然后剥掉光致抗蚀剂；以及在经图形刻蚀的介质材料顶部镀敷上导体层。