| 摘要 |
<p>본 발명은 서브스트레이트와, 이를 제조하는 방법에 관한 것으로, 벤트홀(100a ; 200a ; 300a)의 양쪽 개구부나, 어느 한쪽 개구부가 회로패턴(120 ; 221,222 ; 321,323)을 형성하는 구리층(A ; B1,B2 ; C1,C2)에 의해 막혀진 구조로 되어, 반도체칩(500) 부착시 에폭시수지(400)가 벤트홀로 유입되는 것이 차단되므로, 벤트홀의 기능저하가 방지되고, 에폭시수지(400)에 의한 오염이 방지되어 상품성이 향상되면서 이에 의한 제품불량발생이 감소되도록 된 것이다.</p> |
