| 发明名称 | 半导体材料的激光切割 | ||
| 摘要 | 一种切割薄的硅体以最小化其边缘损伤的方法,包括在真空中或在合成气体或惰性气体的环境中用脉冲激光束穿过所述的硅体。 | ||
| 申请公布号 | CN1386081A | 申请公布日期 | 2002.12.18 |
| 申请号 | CN01802185.9 | 申请日期 | 2001.05.14 |
| 申请人 | ASE美国公司 | 发明人 | B·P·皮茨克;J·P·卡莱斯 |
| 分类号 | B23K26/12;B23K26/38 | 主分类号 | B23K26/12 |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 温大鹏;黄力行 |
| 主权项 | 1.一种将中空的半导体硅体切割成用来制造固态电子器件的晶片的方法，包括以下步骤：用短脉冲激光器在真空中或在包括一种或多种合成气体和惰性气体的气体介质中切割所述的半导体。 | ||
| 地址 | 美国马萨诸塞州 | ||