一种广义的绝缘体上半导体薄膜材料及制备方法

摘要

本发明涉及一种广义的绝缘体上半导体薄膜材料(SOI)及制备方法,属于微电子学领域。其特征在于利用氢、氦等离子注入与键合技术,形成以Si、SiC、SiGe、GaAs、InP、类金刚石等半导体薄膜材料为有源层,以SiO₂、AlN、Al₂O₃、玻璃、石英等为绝缘埋层的新一代广义的SOI先进材料。这种结合了微电子领域的先进半导体材料与SOI技术的新型材料,在增加电路抗辐照性能、提高电路速度、降低功耗等方面具有重要的应用前景。

主权项

1.一种广义的绝缘体上半导体薄膜材料，包括有源层和绝缘埋层，其特征在于有源层除单晶硅外，有源层为SiC、SiGe、GaAs、InP、类金刚石半导体材料中的一种，或是由它们组成的复合结构；绝缘埋层至少或为表面生长有SiO2或AlN或Al2O3或LiTaO3或Si3N4绝缘薄膜中的一种的硅片；或直接采用玻璃或石英圆片作衬底；或者是由这些绝缘材料组成的复合结构。