半导体器件的制造方法

摘要

本发明的课题是,确立在向构成掩模ROM的各元件进行信息写入时,切换输出端的输出状态的制造技术。其特征在于,包括:经栅极绝缘膜5在半导体衬底1上形成栅电极8的工序;与该栅电极8相邻接地形成源、漏区的工序;经覆盖上述栅电极8的层间绝缘膜14形成Al布线15的工序;以及通过以在上述Al布线15上形成的光致抗蚀剂23和该Al布线15作为掩模向上述衬底表层注入杂质离子,对构成掩模ROM的各元件写入信息,同时切换输出端的输出状态的工序。

主权项

1.一种半导体器件的制造方法，其特征在于：包括经栅绝缘膜在半导体衬底上形成栅电极的工序；与该栅电极相邻接地形成源。漏区的工序；经覆盖上述栅电极的层间绝缘膜形成金属布线的工序；以及通过以在上述金属布线上形成的光致抗蚀剂和该金属布线作为掩模向上述衬底表层注入杂质离子，对构成掩模ROM的各元件写入信息的同时，切换输出端的输出状态的工序。