| 发明名称 | 包括绝缘膜的半导体器件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 提高有两层结构的绝缘膜之间的粘接强度，改善平面化和膜特性的半导体器件及其制造方法。半导体器件的制造方法中，在半导体衬底上形成至少有上下层的两层结构的绝缘膜。以后，在杂质至少到达上下绝缘膜之间的界面的条件下给上层绝缘膜引入杂质。使上下绝缘膜之间的粘接强度提高，上层绝缘膜不易剥离。 | ||
| 申请公布号 | CN1096704C | 申请公布日期 | 2002.12.18 |
| 申请号 | CN97120672.4 | 申请日期 | 1997.09.06 |
| 申请人 | 三洋电机株式会社 | 发明人 | 水原秀树;渡辺裕之;児岛则章 |
| 分类号 | H01L21/3115;H01L21/31 | 主分类号 | H01L21/3115 |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 萧掬昌;傅康 |
| 主权项 | 1.半导体器件的制造方法，包括以下步骤：在半导体衬底上形成第1绝缘膜；在所述第1绝缘膜上形成第2绝缘膜；在杂质至少到达所述第2绝缘膜与所述第1绝缘膜之间的界面的条件下把杂质引入所述第2绝缘膜；其中，所述第2绝缘膜包括至少含1％的碳的氧化硅膜。 | ||
| 地址 | 日本大阪府 | ||