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发明名称 Process for the accomplishment of an ROM memory cell having a low drain capacity and a corresponding ROM memory cell
摘要
申请公布号 EP0451883(B1) 申请公布日期 2002.12.18
申请号 EP19910200496 申请日期 1991.03.07
申请人 STMICROELECTRONICS S.R.L. 发明人 CAPPELLETTI, PAOLO;VAJANA, BRUNO;LUCHERINI, SILVIA
分类号 H01L21/8247;H01L21/8246;H01L27/112;H01L27/115;(IPC1-7):H01L27/112;H01L21/824 主分类号 H01L21/8247
代理机构 代理人
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