利用片上检测放大器标定方法和装置的电阻交叉点存储器

摘要

一种电阻交叉点存储(RXPtM)单元阵列器件10,它的一个例子磁性随机存储(MRAM)器件,包括一个芯片40,在其上面形成一个RXPtM单元阵列12,用来检测RXPtM单元14的电阻值的检测放大器44的阵列,以及一个输入/输出(I/O)控制器48。I/O控制器48包括一个标定控制器50,为了保证放大器26具有可接受的标定而根据现有的环境条件来测试特别选定的一个存储单元14和阵列44中有关的一个特定的检测放大器26的组合。采用一种方法来保证RXPtM单元阵列器件10的数据完整性,从器件10中检测数据的每一个操作包括一种标定测试,如果检测放大器26不能通过测试就重新标定。在检测放大器26指示出正确的标定时,就继续检测数据值。

主权项

1.一种电阻交叉点存储(RXPtM)器件10，可响应包括温度和工作电压等环境因素，上述器件包括：多个RXPtM单元14，每个所述RXPtM单元14包括一对磁性层，其中之一的磁性取向34是固定的，而另一个的磁性取向36可变；介于所述一对磁性层(34，36)之间的一个电阻层38，使所述多个RXPtM单元14各自具有取决于所述另一个磁性层各自的磁性取向的一个特征电阻；彼此交叉并且电连接到所述多个RXPtM单元14中所述成对的磁性层(34，36)的相应层的导体栅格；与所述多个RXPtM单元14相联系的一个可变标定检测放大器44，用来检测选定的一个所述单元14的电阻；以及与所述多个RXPtM单元14和所述检测放大器44二者相联系的一个标定控制器50，按照现有环境因素对用来检测选定的RXPtM单元14的所述检测放大器44的标定执行测试。