发明名称 NONVOLATILE FERROELECTRIC MEMORY DEVICE WITH ROW REDUNDANCY CIRCUIT AND METHOD FOR A RELIEF FAILED ADDRESS THE SAME
摘要 <p>메인셀영역의 로우 어드레스에 페일(Fail)이 발생했을 경우에 구제 효율을 높이고, 구제회로를 효율적으로 레이아웃 하기에 알맞은 로우 리던던시 회로를 구비한 비휘발성 강유전체 메모리 장치 및 그의 페일 어드레스 구제방법을 제공하기 위한 것이다. 이와 같은 목적을 달성하기 위한 로우 리던던시 회로를 구비한 비휘발성 강유전체 메모리 장치는 2개의 트랜지스터와 2개의 강유전체 커패시터로 구성된 스플릿 워드라인 셀(SWL Cell)을 단위셀로 하는 셀 어레이에서 SWL쌍중 한 로우(Row)에서만 페일 로우(Fail Row)가 발생해도 항상 SWL 쌍으로 페일 로우를 구제하기 위한 비휘발성 강유전체 메모리 장치에 있어서, 복수개의 SWL 셀 어레이로 구성된 제 1, 제 2 셀 어레이부와, 상기 제 1, 제 2 셀 어레이부의 사이에 배열되어 상기 제 1, 제 2 셀 어레이부의 임의의 SWL 셀을 구동시키기 위한 신호를 출력하는 제 1, 제 2 로컬 워드라인 드라이버부로 구성된 메인셀영역과, 상기 메인셀영역의 상기 제 1, 제 2 로컬 워드라인 드라이버부 중 하나를 활성화시키기 위한 제어신호를 출력하는 메인 워드라인 드라이버와, 상기 메인셀영역의 로우 어드레스를 선택하는 동작에 오류가 발생할 경우 이를 구제하기 위해 상기 메인셀영역과 기본적 셀 구성이 같은 리던던시 제 1, 제 2 셀 어레이부와, 리던던시 제 1, 제 2 로컬 워드라인 드라이버부로 구성된 리던던시셀영역과, 상기 메인셀영역의 로우 어드레스를 선택하는 동작에 결함이 발생되었을 경우 상기 메인 워드라인 드라이버에 비활성화 신호를 출력시키기 위해 상기 메인 워드라인 드라이버에 연결되고, 상기 리던던시셀영역의 상기 리던던시 제 1, 제 2 로컬 워드라인 드라이버부에 리던던시 제어신호를 출력시키기 위해 상기 제1, 제2리던던시 로컬 워드라인 드라이버에 연결된 로우 리던던시 구동회로부와, 상기 메인셀영역과 리던던시셀영역의 임의의 SWL 셀에 대응되는 제 1, 제 2 스플릿 워드라인에 인가될 구동신호를 상기 메인셀영역이나 리던던시셀영역의 상기 제 1, 제 2 로컬 워드라인 드라이버부로 인가하는 로컬 X디코더부를 포함하여 구성됨을 특징으로 한다.</p>
申请公布号 KR100364791(B1) 申请公布日期 2002.12.16
申请号 KR19990039596 申请日期 1999.09.15
申请人 주식회사 하이닉스반도체 发明人 강희복
分类号 G11C14/00;G11C11/22;G11C11/401;G11C11/407;G11C29/00;G11C29/04 主分类号 G11C14/00
代理机构 代理人
主权项
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