| 发明名称 |
METHOD FOR FORMING SILICON CARBIDE CHROME THIN-FILM RESISTOR |
| 摘要 |
<p>실리콘, 탄소 및 크롬으로 이루어진 박막 저항기를 형성하기 위한 방법이 개시된다. 박막 저항기의 저항률, 그리고 저항 및 저항기의 저항 온도 계수(TCR)는 저항기를 형성하기 위해 이용되는 실리콘, 탄소 및 크롬으로 이루어진 기본적인 화합물을 변화시킴으로써 특정 값을 갖도록 맞추어 진다.</p> |
| 申请公布号 |
KR100365173(B1) |
申请公布日期 |
2002.12.16 |
| 申请号 |
KR19990046766 |
申请日期 |
1999.10.27 |
| 申请人 |
내셔널 세미콘덕터 코포레이션 |
发明人 |
마크레드포드;리키보일;야쿠브알리유;식멕그리고;하이든그레고리 |
| 分类号 |
H01L21/31;H01C7/00;H01C7/06;H01L21/02 |
主分类号 |
H01L21/31 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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