Verfahren zur Behandlung heteroepitaktischer Halbleiterschichten auf Siliziumsubstraten

摘要

Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Behandlung heteroepitaktisch auf Siliziumsubstraten abgeschiedener Halbleiterschichten. Die Erfindung soll insbesondere für die Herstellung elektronischer Bauelemente eingesetzt werden. DOLLAR A Die Erfindung beinhaltet, dass die Oberfläche der Epitaxieschicht ganzflächig mit einem Lichtimpuls zwischen 2 und 500 ms der Energiedichte von 100 bis 200 Joule/cm·2· und einem Intensitätsmaximum der Wellenlänge zwischen 400 und 600 nm bestrahlt wird. DOLLAR A Dabei kann als heteroepitaktische Halbleiterschicht 3C-SiC eingesetzt werden. DOLLAR A Es können auch eine Vorheizung des Siliziumsubstrates und mehrere aufeinander folgende Lichtblitze verwendet werden.