Halbleitervorrichtung und Verfahren zu deren Herstellung

摘要

Eine untere Metallschicht (2B) ist auf einem unteren Zwischenschichtsiolationsfilm (1) in einer MIM-Kapazitätselementbildungsregion (2000) bereitgestellt. Die untere Metallschicht (2B) wird mit dem gleichen Schritt gebildet, in dem auch die untere Zwischenverbindungsschicht (2A) gebildet wird. Eine dielektrische Schicht (3A) und eine obere Metallschicht (4) werden unter Verwendung der gleichen Maske gemustert, die auf der unteren Metallschicht (2B) bereitgestellt ist. Die Dicke der oberen Metallschicht (4) ist dünner ausgebildet als die Dicke der unteren Metallschicht (2B). Folglich wird es möglich, eine bessere Zuverlässigkeit (Lebensdauer) des MIM-Kapazitätselements zu erhalten, indem die Struktur des MIM-Kapazitätselements sowie dessen Herstellungsschritte verbessert werden.