发明名称 METHOD FOR MAKING MASK BY USING WASTED MASK
摘要 <p>Method for making a mask for patterning a microscopic pattern in semiconductors, by using a wasted mask is provided. The method comprises the step of removing pellicle on the mask, removing a metal layer on the mask, and depositing a new metal layer on quartz surface.</p>
申请公布号 WO2002099532(A1) 申请公布日期 2002.12.12
申请号 KR2001000963 申请日期 2001.06.05
申请人 发明人
分类号 主分类号
代理机构 代理人
主权项
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