| 主权项 |
1.一种正向作用光阻组成物,包括光酸产生剂化合物及实质上不含芳族基之聚合物,其中聚合物包括相当于下列式I之重复单位:其中L为经取代或未经取代之葑基、经取代或未经取代之蒎烯基、经取代或未经取代之3,2,0-桥接系统、经取代或未经取代之杂脂环基、经取代或未经取代之含3或4个环碳原子之环烷基;X为、经取代或未经取代之脂环基、经取代或未经取代之杂脂环基、经取代或未经取代之烷基、经取代或未经取代之烯基或经取代或未经取代之炔基;R为经取代或未经取代之烷基、经取代或未经取代之烯基、经取代或未经取代之炔基、经取代或未经取代之烷醯基、或经取代或未经取代或未经取代之含1至3个环原子及1至约3个杂原子之杂环基;Z为聚合物单位之间的桥基;且a、b及c为各聚合物单位之莫耳百分比。2.根据申请专利范围第1项之光阻组成物,其中该对酸不安定之基团含经取代或未经取代之杂脂环基,其与光产生的酸反应时解离而形成安定化之不定域化阳离子中间物。3.根据申请专利范围第1项之光阻组成物,其中该对酸不安定之基团含经取代或未经取代之含3或4个环碳原子之环烷基。4.一种形成正向光阻剂凸起影像之方法,包括:a)施加根据申请专利范围第1项光阻组成物之涂覆层于基板上;b)暴露及显像光阻剂涂覆层以产生正向凸起影像。5.根据申请专利范围第4项之方法,其中光阻剂涂覆层是用低于250毫微米之波长照射暴露。6.根据申请专利范围第4项之方法,其中光阻剂涂覆层是用低于200毫微米之波长照射暴露。7.根据申请专利范围第4项之方法,其中光阻剂涂覆层是用248毫微米或193毫微米之波长照射暴露。8.一种聚合物,其含相当于下列式I之重复单位:其中L为经取代或未经取代之葑基、经取代或未经取代之蒎烯基、经取代或未经取代之3,2,0-桥接系统、经取代或未经取代之杂脂环基、经取代或未经取代之含3或4个环碳原子之环烷基;X为、经取代或未经取代之脂环基、经取代或未经取代之杂脂环基、经取代或未经取代之烷基、经取代或未经取代之烯基或经取代或未经取代之炔基;R为经取代或未经取代之烷基、经取代或未经取代之烯基、经取代或未经取代之炔基、经取代或未经取代之烷醯基、或经取代或未经取代或未经取代之含1至3个环原子及1至约3个杂原子之杂环基;Z为聚合物单位之间的桥基;且a、b及c为各聚合物单位之莫耳百分比。 |
