| 主权项 |
1.一种垂直边缘次微米通孔之形成方法,系包含以下步骤:在一样本薄膜上形成一大孔,该大孔系具有比一通孔的设计尺寸更大的直径,利用一聚焦离子束装置以蚀刻留下一底部,该底部具有接近该设计尺寸的厚度;在该底部段中以聚焦离子束蚀刻形成具有该设计尺寸的一通孔;并利用一聚焦离子束装置藉由沉积将该大孔回填至该设计尺寸。2.如申请专利范围第1项之垂直边缘次微米通孔之形成方法,其中在该利用一聚焦离子束装置以沉积将该大孔回填至该设计尺寸的步骤之后,系利用一聚焦离子束装置以气体辅助蚀刻来完成该通孔的内表面。3.一种垂直边缘次微米通孔之形成方法,系包含以下步骤:在不包含具有该通孔设计尺寸的一区之该薄膜的一表面上,利用一聚焦离子束装置以沉积沿着此区边缘形成一厚的保护膜;在聚焦离子束于该薄膜样本表面上之通孔设计区上扫描时,以气体辅助蚀刻形成一通孔。图式简单说明:图1A-1C依照时序以1A、1B、1C显示一具有一垂直边缘的次微米通孔之顺序图;图2A、2B显示本发明用于形成一具有一垂直边缘的次微米通孔之另一项实施例,图2A为形成保护膜的一早期阶段之平面图,图2B为处理之后的一样本剖面;图3A、3B示意显示本发明以沉积方式回填大孔之顺序,图3A为一辐射侧的视图,图3B为剖面;图4A、4B显示利用相关方法处理位于一薄膜上之一通孔的一项实施例的图示;图5示意显示本发明所使用之一种聚焦离子束装置的构造。 |
