图案化矽基材层之制造方法

摘要

一种将矽基材层图案化的制造方法，系利用形成抗反射涂布层，增加微影制程的对准，此抗反射涂布层可为有机材料或无机材料。并在定义矽基材层结构前，将光阻去除，使定义步骤中光阻层易倾斜(Titling)的问题不影响后续定义步骤。另外，更利用多层不同厚度的硬罩幕(Hard Mask)层，减少使用光阻的厚度，有利徽影(Lithography)图案的转印，并减少光阻层倾斜的缺点。如此，可制造线宽较细、良好临界尺寸(Critical Dimension)与剖面(Profile)特性的积体电路元件。

主权项

1.一种图案化矽基材层之制造方法,至少包括:提供一矽基材层;形成至少一硬罩幕层在该矽基材层上;形成一抗反射涂布层在该至少一硬罩幕层上,其中该抗反射涂布层系以一有机材料所构成;形成一光阻层在该抗反射涂布层上;依序定义该光阻层、该抗反射涂布层、该至少一硬罩幕层;去除该光阻层与该抗反射涂布层;以及定义该矽基材层。2.如申请专利范围第1项所述之图案化矽基材层之制造方法,其中上述之定义该光阻层之步骤可为光学微影、电子束微影或X射线微影。3.如申请专利范围第1项所述之图案化矽基材层之制造方法,其中上述之定义该至少一硬罩幕层之步骤系以该光阻层与该抗反射涂布层作为一光罩。4.如申请专利范围第1项所述之图案化矽基材层之制造方法,其中上述之定义该矽基材层之步骤系以该至少一硬罩幕层作为一光罩。5.一种图案化矽基材层之制造方法,至少包括:提供一矽基材层;形成一硬罩幕层在该矽基材层上;形成一抗反射涂布层在该硬罩幕层上,其中该抗反射涂布层系以一有机材料所构成;形成一光阻层在该抗反射涂布层上;定义该光阻层;定义该抗反射涂布层;定义该硬罩幕层;去除该光阻层与该抗反射涂布层;以及定义该矽基材层。6.如申请专利范围第5项所述之图案化矽基材层之制造方法,其中上述之硬罩幕层系由一第一结构与一第二结构所组成,并且该第二结构系位于该第一结构之下方,而该第一结构之厚度大于该第二结构之厚度。7.如申请专利范围第6项所述之图案化矽基材层之制造方法,其中上述之第一结构系由氮化矽或二氧化矽材料所构成。8.如申请专利范围第6项所述之图案化矽基材层之制造方法,其中上述之第二结构系由二氧化矽材料所构成。9.如申请专利范围第5项所述之图案化矽基材层之制造方法,其中上述之定义该光阻层之步骤可为光学微影、电子束微影或X射线微影。10.如申请专利范围第5项所述之图案化矽基材层之制造方法,其中上述之定义该硬罩幕层之步骤系以该光阻层与该抗反射涂布层作为一光罩。11.如申请专利范围第5项所述之图案化矽基材层之制造方法,其中上述之定义该矽基材层之步骤系以该第一硬罩幕层作为一光罩。12.一种图案化矽基材层之制造方法,至少包括:提供一矽基材层;形成一第一硬罩幕层在该矽基材层上;形成一第二硬罩幕层在该第一硬罩幕层上;形成一以定义之光阻层在该第二硬罩幕层上;定义该第二硬罩幕层;以定义后之该第二罩幕层为罩幕定义该第一硬罩幕层;以及以定义后之该第一罩幕层为罩幕定义该矽基材层。13.如申请专利范围第12项所述之图案化矽基材层之制造方法,其中上述之矽基材层可达自于单晶矽、多晶矽与锗化矽所组成之一族群。14.如申请专利范围第12项所述之图案化矽基材层之制造方法,其中上述之第一硬罩幕层系由一第一结构与位于该第一结构下方之一第二结构所组成,并且该第一结构之厚度大于该第二结构之厚度。15.如申请专利范围第14项所述之图案化矽基材层之制造方法,其中上述之第一结构系由氮化矽或二氧化矽材料所构成。16.如申请专利范围第14项所述之图案化矽基材层之制造方法,其中上述之第二结构系由二氧化矽材料所构成。17.如申请专利范围第12项所述之图案化矽基材层之制造方法,其中上述之第二硬罩幕层可由二氧化矽或多晶矽材料所构成。18.如申请专利范围第12项所述之图案化矽基材层之制造方法,更包括在该第二硬罩幕层与该光阻层间,形成一抗反射涂布层。19.如申请专利范围第18项所述之图案化矽基材层之制造方法,其中上述之抗反射涂布层可以有机材料或无机材料所构成。图式简单说明:第1图至第4图所绘示为习知图案化矽基材层之制造方法之剖面流程图;第5图至第7图所绘示为习知图案化矽基材层之制造方法之剖面流程图;第8图至第11图所绘示为本发明图案化矽基材层之制造方法之剖面流程图;第12图至第16图所绘示为本发明图案化矽基材层之制造方法之剖面流程图;第17图所绘示为闸极结构之剖面示意图;以及第18图所绘示为浅沟渠隔离开口之剖面示意图。