| 主权项 |
1.一种在半导体基底上隔离元件的方法,至少包括下列步骤:形成一隔离层于一半导体基底上;定义该隔离层以形成至少两个隔离平台;形成一半导体层于该基底上,且其厚度至少覆盖住上述隔离平台;以及对该半导体层进行平坦化直到露出上述隔离平台为止,藉此在两个隔离平台之间形成一半导体区,作为元件之主动区。2.如申请专利范围第1项所述之在半导体基底上隔离元件的方法,其中该隔离层包括一氧化层。3.如申请专利范围第2项所述之在半导体基底上隔离元件的方法,其中该隔离层更包括一氮化层于该氧化层之上。4.如申请专利范围第1项所述之在半导体基底上隔离元件的方法,其中该隔离层为氮化矽、碳化矽(silicon carbide)、或钻石。5.如申请专利范围第1项所述之在半导体基底上隔离元件的方法,其中该半导体层包括一复晶矽层。6.如申请专利范围第1项所述之在半导体基底上隔离元件的方法,其中该半导体层包括一磊晶矽层。7.如申请专利范围第1项所述之在半导体基底上隔离元件的方法,其中该平坦化步骤系施行一化学机械研磨程序。8.如申请专利范围第1项所述之在半导体基底上隔离元件的方法,其中该平坦化步骤系施行一回蚀刻程序。9.一种在半导体基底上隔离元件的方法,至少包括下列步骤:形成一隔离层于一半导体基底上;形成一光阻层于该隔离层上;定义该光阻层以形成一罩幕图案,其实质上为预定形成主动区的反向图案;以上述光阻图案为蚀刻罩幕,非等向性地蚀刻该隔离,藉此形成复数个隔离平台;去除该光阻图案;形成一半导体层于该基底上,且其厚度至少覆盖住该些隔离平台;以及对该半导体层进行平坦化直到露出该些隔离平台为止,藉此在该些隔离平台之间形成复数个半导体区,作为元件之主动区。10.如申请专利范围第9项所述之在半导体基底上隔离元件的方法,其中该隔离层包括一氧化层。11.如申请专利范围第10项所述之在半导体基底上隔离元件的方法,其中该隔离层更包括一氮化层于该氧化层之上。12.如申请专利范围第9项所述之在半导体基底上隔离元件的方法,其中该隔离层为氮化矽、矽碳化物(siliconcarbide)、或钻石。13.如申请专利范围第9项所述之在半导体基底上隔离元件的方法,其中该半导体层包括一复晶矽层。14.如申请专利范围第9项所述之在半导体基底上隔离元件的方法,其中该半导体层包括一磊晶矽层。15.如申请专利范围第9项所述之在半导体基底上隔离元件的方法,其中该平坦化步骤系施行一化学机械研磨程序。16.如申请专利范围第9项所述之在半导体基底上隔离元件的方法,其中该平坦化步骤系施行一回蚀刻程序。17.一种在半导体基底上隔离元件的方法,至少包括下列步骤:形成一隔离层于一半导体基底上,该隔离层系由一氧化层与一氮化层所构成;形成一光阻层于该隔离层上;定义该光阻层以形成一罩幕图案,其实质上为预定形成主动区的反向图案;以上述光阻图案为蚀刻罩幕,非等向性地蚀刻该隔离层,藉此形成复数个隔离平台;去除该光阻图案;形成一半导体层于该基底上,且其厚度至少覆盖住该些隔离平台;以及以化学机械研磨法对该半导体层进行平坦化直到露出该些隔离平台为止,藉此在该些隔离平台之间形成复数个半导体区,作为元件之主动区。图式简单说明:第1图系显示习知的沟槽隔离制程中,填沟所产生之孔洞。第2-6图为一系列剖面图,用以说明本发明一较佳实施例之元件隔离制程。 |
