| 主权项 |
1.一种发光二极体(100),其具有-半导体层结构,其包括基板(10)与至少一在此基板(10)上所形成的发光层(20)以及一涂布于此发光层(20)上之透明的电流扩散层(30),-在基板反面之第一电性接触层,以及-第二电性接触层(50),其配置于电流扩散层(30)上,其特征为:-此电流扩散层(30)之表面具有一垂直结构(40)以改善光线之耦合射出性,以及-此第二电性接触层(50)具有一侧面结构,藉此可使电流均匀地耦合至电流扩散层(30)中。2.如申请专利范围第1项之发光二极体(100),其中-此第二电性接触层(50)是配置一中央特别是圆形或正方形之接触表面(51),以及一对此中央接触表面(51)的中点成旋转对称的接触结构(52;53;54);此结构是由较细长的接触区段(52;53)及/或接触点(54)围绕着中央接触表面(51)所构成。3.如申请专利范围第2项之发光二极体(100),其中-此旋转对称是全方位的且尤其是对应于发光二极体之旋转对称。4.如申请专利范围第1至3项中任一项之发光二极体(100),其中-此第二电性接触层(50)是以相连接之方式而形成。5.如申请专利范围第1至3项中任一项之发光二极体(100),其中-此第二电性接触层(50)之本身是不相连接且经由一透明导电材料层而彼此连接。6.如申请专利范围第1至3项中任一项之发光二极体(100),其中-此第二电性接触层(50)是配置于电流扩散层之已结构化及/或非结构化的区段上。7.如申请专利范围第4项之发光二极体(100),其中-此第二电性接触层(50)是配置于电流扩散层之已结构化及/或非结构化的区段上。8.如申请专利范围第5项之发光二极体(100),其中-此第二电性接触层(50)是配置于电流扩散层之已结构化及/或非结构化的区段上。9.如申请专利范围第1项之发光二极体(100),其中-此垂直结构(40)具有较佳是规则配置之n-面(n≧3)之角锥体、平截头棱锥体、(圆)锥体、或截锥体的形状。10.一种发光二极体(100)之制造方法,此发光二极体(100)是如申请专利范围第1至9项中任一项所述者,其特征为:-在基板(10)上涂布发光层(20)且然后涂布一较厚且透明之电流扩散层(30),并且此基板反面设有第一电性接触层,-在电流扩散层(30)的表面中产生一垂直结构(40),以改善光之耦合射出性,-在电流扩散层(30)之已结构化的表面上,涂布第二电性接触层(50),其具有所期望之侧面结构。11.一种发光二极体(100)之制造方法,其制造如申请专利范围第1至10项中任一项之发光二极体(100),其特征为:-在基板(10)上涂布发光层(20)且然后涂布一较厚且透明之电流扩散层(30),并且此基板反面设有第一电性接触层,-在此电流扩散层(30)的表面上涂布第二电性接触层(50),其具有所期望之侧面结构,-在此电流扩散层(30)的表面中,在第二电性接触层(50)的区域外产生一垂直结构(40)以改善光之耦合射出性。图式简单说明:第1图是一个配置于一反射器中根据本发明之表面结构化之发光二极体之横截面之简化概要图式说明。第2图是第一实施例之第二电性接触层,在发光二极体之结构化光线射出表面上的俯视图。第3图是用于第二电性接触层的第二实施例,在结构化光线射出表面上的俯视图。第4图是第三实施例之第二电性接触层。 |
