试料分析方法

摘要

伴随着于制造工程被使用之晶圆等大型化的趋势，造成使用于检查上之装置也跟着大型化，而必须具有大的设置面积。再者，伴随着装置之大型化，装置的价格也跟着提高，而形成所谓的设备投资金额提升之问题。本发明系以解决该问题为目的。将检查过异物或是缺陷4之试料，含有位置座标明确的多个基准点3地加以分割。利用小型之检查装置，检查分割后之试料2。此时，由分割后之试料2上之基准点3的位置座标，算出异物或是缺陷4之位置座标后再进行检查。

主权项

1.一种试料分析方法,系针对于根据利用第一装置被测定之试料表面的位置资料,再利用第二装置分析试料之试料分析方法,其特征为:包含了利用第一装置,测定试料表面上之多个基准点之位置资料的第一工程、及利用第一装置或是可与第一装置之位置座标资料共同使用之第三装置,测定前述试料表面之被测定物之位置资料的第二工程、及含有前述多个基准点领域地分割前述试料而制作成试料小片的第三工程、及将前述被分割后之试料小片载置于第二装置,利用第二装置测定前述多个基准点之位置,由前述多个基准点之位置资料,特定利用第一装置所测定之被测定物之位置的第四工程。2.如申请专利范围第1项之试料分析方法,其中前述第一装置,系为检查试料表面之异物、形状异常等缺陷,且测定该缺陷之试料表面上的位置之异物或是缺陷检查装置。3.如申请专利范围第1项之试料分析方法,其中前述第二装置,系为利用第一装置所检查测定之试料没有分割就无法载置,对应于小型试料之测定机。4.如申请专利范围第3项之试料分析方法,其中前述第二装置,系为聚焦离子束装置。5.如申请专利范围第1项之试料分析方法,其中前述试料表面上之前述多个基准点,系为利用预先被形成于试料表面上之图案者。6.如申请专利范围第1项之试料分析方法,其中前述试料表面上之前述多个基准点,系为利用蚀刻或是淀积等被形成于试料表面上者。7.如申请专利范围第1项之试料分析方法,其中前述试料表面上之前述多个基准点,系为利用损伤而被形成于试料表面之痕迹。8.如申请专利范围第1项之试料分析方法,其中前述试料表面上之前述多个基准点,系为利用单独的多个图案之特征性的形状。9.如申请专利范围第1项之试料分析方法,其中前述试料表面上之前述多个基准点,其中的全部或是几个系为利用一个图案中之不同特征性的形状。10.如申请专利范围第1项之试料分析方法,其中前述试料表面上之前述多个基准点,系针对特定的一点,不会形成点对称关系般地被决定。图式简单说明:第1图系为本发明之说明图。