| 主权项 |
1.一种具遮光效果之储存电容之薄膜电晶体(ThinFilm Transistor,TFT)液晶显示器(Liquid Crystal Display,LCD),包括:复数个储存电容(Storage Capacitors),各该些储存电容又包括:一玻璃基板;一缓冲层,位于该玻璃基板上;一第一导电层,位于该缓冲层上;一闸极氧化层,位于该缓冲层上且覆盖该第一导电层;一第二导电层,位于该闸极氧化层上;一中间层,位于该闸极氧化层上且覆盖该第二导电层;一第三导电层,位于该中间层上,系用以遮光,并且该第三导电层与该第一导电层电性连接;一保护层,位于该中间层上且覆盖该第三导电层;以及一透明电极,位于该保护层上,且该透明电极与该第三导电层电性连接。2.如申请专利范围第1项所述之TFT LCD,其中该透明电极之材质系铟锡氧化物(Indium Tin Oxide,ITO)。3.如申请专利范围第1项所述之TFT LCD,其中该第一导电层之材质系多晶矽(Polysilicon)。4.如申请专利范围第1项所述之TFT LCD,其中该第二导电层之材质系金属。5.如申请专利范围第1项所述之TFT LCD,其中该第三导电层之材质系金属。6.如申请专利范围第1项所述之TFT LCD,其中该闸极氧化层之材质系矽氧化物(SiOx)。7.如申请专利范围第1项所述之TFT LCD,其中该第二金属层具有一开口,该第三导电层透过该开口与该第一导电层连接。8.如申请专利范围第7项所述之TFT LCD,其中该第一导电层、该第三导电层及该透明电极之间系短路状态。9.一种具遮光效果之储存电容之薄膜电晶体(Thin Film Transistor,TFT)液晶显示器(Liquid Crystal Display,LCD)中之储存电容的制造方法,包括:(a)提供一玻璃基板;(b)形成一缓冲层;(c)形成一第一导电层;(d)形成一闸极氧化层;(e)形成一第二导电层;(f)形成一中间层;(g)形成一第三导电层,并使该第三导电层与该第二导电层电性连接;(h)形成一保护层;以及(i)形成一透明电极,并使该透明电极与该第三导电层电性连接。10.如申请专利范围第9项所述之储存电容的制造方法,其中该透明电极之材质系铟锡氧化物(Indium Tin Oxide,ITO)。11.如申请专利范围第9项所述之储存电容的制造方法,其中该第一导电层之材质系多晶矽(Polysilicon)。12.如申请专利范围第9项所述之储存电容的制造方法,其中该第二导电层之材质系金属。13.如申请专利范围第9项所述之储存电容的制造方法,其中该第三导电层之材质系金属。14.如申请专利范围第9项所述之储存电容的制造方法,其中该闸极氧化层之材质系矽氧化物(SiOx)。15.如申请专利范围第9项所述之储存电容的制造方法,其中,在该步骤(e)中,于该第二金属层中更形成一开口,且该第三导电层透过该开口与该第一导电层连接。图式简单说明:第1图绘示乃传统TFT LCD之一画素与其部分之邻近画素的布局图。第2图绘示乃第1图中沿着剖面线1A-1B之储存电容的剖面图。第3图绘示乃依照本实施例之一较佳实施例之具遮光效果之储存电容之薄膜电晶体液晶显示器之一画素与其部分之邻近画素的布局图。第4图绘示乃第3图中沿着剖面线3A-3B之储存电容的剖面图。第5A~5H图绘示乃第4图中之储存电容之制造方法流程图。 |
