| 主权项 |
1.一种浅沟渠隔离结构之制造方法,其适用于一基底,且该基底上已形成一垫氧化层、一罩幕层以及一浅沟渠开口,该方法包括:于该基底上,形成一绝缘层,并填满该浅沟渠开口;于该绝缘层上进行一平坦化制程,直到裸露出该罩幕层;于含氧及/或水气之环境中,进行一高温制程;剥除该罩幕层;以及剥除该垫氧化层。2.如申请专利范围第1项所述之浅沟渠隔离结构之制造方法,其中该高温制程包括同时形成一衬氧化层与一浅沟渠隔离。3.如申请专利范围第1项所述之浅沟渠隔离结构之制造方法,其中该高温制程包括湿式氧化法。4.如申请专利范围第1项所述之浅沟渠隔离结构之制造方法,其中该高温制程温度约为850℃到1180℃之间。5.如申请专利范围第2项所述之浅沟渠隔离结构之制造方法,其中该衬氧化层之厚度约为200到1000之间。6.如申请专利范围第1项所述之浅沟渠隔离结构之制造方法,其中该绝缘层之平坦化方法包括化学机械研磨法。7.如申请专利范围第6项所述之浅沟渠隔离结构之制造方法,其中该化学机械研磨法包括使用一高研磨选择性之研磨泥浆。8.如申请专利范围第1项所述之浅沟渠隔离结构之制造方法,其中该绝缘层之材质包括氧化矽。9.如申请专利范围第1项所述之浅沟渠隔离结构之制造方法,其中形成该绝缘层之方式包括常压化学气相沉积法。10.如申请专利范围第1项所述之浅沟渠隔离结构之制造方法,其中形成该绝缘层之方式包括低压化学气相沉积法。11.如申请专利范围第1项所述之浅沟渠隔离结构之制造方法,其中剥除该罩幕层之方法包括湿式蚀刻法。12.如申请专利范围第11项所述之浅沟渠隔离结构之制造方法,其中该湿式蚀刻法包括以150℃到180℃的热磷酸溶液进行蚀刻剥除步骤。13.如申请专利范围第1项所述之浅沟渠隔离结构之制造方法,其中剥除该罩幕层之方法包括乾式蚀刻法。14.如申请专利范围第13项所述之浅沟渠隔离结构之制造方法,其中该乾式蚀刻法包括以SF6.氦气及氧气构成之气体源之电浆蚀刻法。15.如申请专利范围第1项所述之浅沟渠隔离结构之制造方法,其中剥除垫氧化层之方式包括湿式蚀刻法。16.如申请专利范围第15项所述之浅沟渠隔离结构之制造方法,其中该湿式蚀刻法包括以氢氟酸为蚀刻液进行蚀刻步骤。17.一种浅沟渠隔离结构之制造方法,其包括:提供具有一垫氧化层、一氮化矽层之一基底;定义该氮化矽层、该垫氧化层与该基底,在该基底上形成一浅沟渠开口;于该基底上,形成一绝缘层,并填满该浅沟渠开口;于该绝缘层上进行一平坦化制程,直到裸露出该罩幕层;于含氧及/或水气之环境中,进行一密化制程;以及剥除该罩幕层与该垫氧化层。18.如申请专利范围第17项所述之浅沟渠隔离结构之制造方法,其中该密化制程包括于该基底与该绝缘层介面形成一衬氧化层。19.如申请专利范围第18项所述之浅沟渠隔离结构之制造方法,其中该衬氧化层之厚度约为200到1000之间。20.如申请专利范围第17项所述之浅沟渠隔离结构之制造方法,其中该密化制程温度约为850℃到1180℃之间。图式简单说明:第1A图至第1D图系显示习知一种浅沟渠隔离结构之制造方法流程的剖面图;以及第2A图至第2E图系显示根据本发明较佳实施例之一种浅沟渠隔离结构之制造方法流程的剖面图。 |
