| 主权项 |
1.一种表面声波(SAW)装置,其系包含有: 压电基板; 电极,系设置于该压电基板上且含有铝成分者;及 磷酸铝膜,系仅覆盖于该电极上者。2.如申请专利 范围第1项之SAW装置,其更具有设置于上述电极上 之氧化铝膜。3.如申请专利范围第1项之SAW装置,其 中该电极包含有数位间转换器(IDT)电极。4.如申请 专利范围第3项之SAW装置,其中该电极更包含有设 置于该IDT电极周围之反射器电极。5.一种表面声 波装置之制造方法,其系包含有以下步骤,即: 于压电基板上形成以铝为主成分之电极;及 将该压电基板浸渍于含有磷离子之溶液中,使形成 覆盖于前述业已形成之电极之磷酸铝膜。6.如申 请专利范围第5项之制造方法,其中该形成磷酸铝 膜之步骤,尚包含有一步骤,即:将该磷酸铝膜形成 有使前述电极之特性在形成前及形成后,约略相等 之厚度者。7.如申请专利范围第5项之制造方法,其 中该溶液系pH3~5。8.如申请专利范围第5项之制造 方法,其更具备有:一于前述电极上藉阳极氧化以 形成氧化铝膜之步骤。图式简单说明: 第1图系本发明之实施态样1中表面声波(SAW)元件之 局部放大剖面图。 第2图系本发明之实施态样1.2中SAW元件之表面图。 第3图系实施态样1.2中SAW装置之剖面图。 第4图系实施态样1中SAW装置之制造步骤图。 第5图系显示实施态样1.2及比较例之SAW装置之耐湿 实验中,中心频率之历时变化。 第6图系实施态样2中SAW元件之局部放大剖面图。 第7图系实施态样2中SAW装置之制造步骤图。 第8图系实施态样2中SAW装置之阳极氧化步骤说明 图。 第9图系习知之SAW元件之局部放大剖面图。 |
