| 主权项 |
1.一种液晶显示装置,其中垂直配向液晶被密封在 一对基体之间,该液晶显示装置包含: 形成于该对基体中之至少一者上,用以保持元件间 隙不变的元件间隙调整间隔器;及 以相同之步骤,以与该等间隔器相同之材料形成于 形成有该等间隔器之基体侧上到具有一个比该等 间隔器低之高度的域形成凸体。2.一种制造液晶 显示装置的方法,在该液晶显示装置中,垂直配向 液晶被密封于一对基体之间,该方法包含: 形成一光阻薄膜于一个基体上的光阻薄膜形成步 骤; 在显影之后提供光阻薄膜厚度之不同余下部份的 条件下,使用具有间隔器图型与凸体图型之光罩下 ,转印间隔器图型与凸体图型至该光阻薄膜上的曝 光步骤;及 藉由把该光阻薄膜显影,同时地形成对应于间隔器 图型之元件间隙调整间隔器与对应于凸体图型之 域形成凸体的显影步骤。3.如申请专利范围第2项 之制造液晶显示装置的方法,更包含: 在该显影步骤之后被处理的后烘烤步骤。4.如申 请专利范围第2项之制造液晶显示装置的方法,其 中在间隔器形成区域中的曝光量与在凸体形成区 域中的曝光量于显影步骤中被不同地设定。5.如 申请专利范围第2项所述之制造液晶显示装置的方 法,其中光罩之间隔器图型的透光系数与光罩之凸 体图型的透光系数系不同。6.如申请专利范围第2 项之制造液晶显示装置的方法,其中藉由在以一个 与光阻薄膜平行之方向位移该光罩时于显影步骤 中执行数次曝光,在间隔器形成区域中的曝光量与 在凸体形成区域中的曝光量被不同地设定。7.如 申请专利范围第2项之制造液晶显示装置的方法, 其中藉由使用绕射光线,在间隔器形成区域中的曝 光量与在凸体形成区域中的曝光量被不同地设定 。8.一种液晶显示装置的滤色器基体,其包含: 一基体; 数个形成于该基体上以展现数种色彩的滤色器; 形成于该等滤色器上的一共用电极; 形成于该共用电极上的元件间隙调整间隔器;及 以相同之步骤,以与该等间隔器相同之材料形成于 该共用电极上到具有一个比该等元件间隙调整间 隔器低之高度的域形成凸体。9.一种制造液晶显 示装置之滤色器基体的方法,其包含如下之步骤: 形成展现数种色彩的滤色器于一基体上; 形成一由透明导体制成的共用电极于该等滤色器 上; 形成一光阻薄膜于该共用电极上; 在显影之后提供光阻薄膜厚度之不同余下部份的 条件下,使用具有间隔器图型与凸体图型之光罩下 ,转印间隔器图型与凸体图型至该光阻薄膜上;及 藉由把该光阻薄膜显影,同时地形成对应于间隔器 图型之元件间隙调整间隔器与对应于凸体图型之 域形成凸体的显影步骤。10.一种制造液晶显示装 置的方法,在该液晶显示装置中,垂直配向液晶被 密封于一对基体之间,该方法包含如下之步骤: 形成一光阻薄膜于一个基体上的光阻薄膜形成步 骤; 在使用具有间隔器图型与凸体图型之光罩下,转印 间隔器图型与凸体图型至该光阻薄膜上的曝光步 骤,其中,凸体图型的宽度系比间隔器图型窄; 藉着把该光阻薄膜显影,同时地形成对应于间隔器 图型之元件间隙调整间隔器与对应于凸体图型之 域形成凸体的显影步骤;及 后烘烤被显影之光阻薄膜以致于该域形成凸体的 高度被缩减比元件间隙调整间隔器之高度低的后 烘烤步骤。11.一种制造液晶显示装置之滤色器基 体的方法,其包含如下之步骤: 形成展现数种色彩之滤色器于一基体上; 形成由透明导体制成的共用电极于该等滤色器上; 形成一光阻薄膜于该共用电极上; 在使用具有间隔器图型与凸体图型的光罩下,转印 间隔器图型与凸体图型至光阻薄膜上,其中,凸体 图型的宽度比间隔器图型窄; 藉着把光阻薄膜显影,同时地形成对应于间隔器图 型的元件间隙调整间隔器与对应于凸体图型的域 形成凸体;及 后烘烤被显影的光阻薄膜以致于该等域形成凸体 的高度被缩减比该等元件间隙调整间隔器的高度 低。12.一种制造液晶显示装置的方法,其包含如下 之步骤: 形成滤色器于一第一基体上; 形成一由透明导体制成的电极于该等滤色器上; 形成一光阻薄膜于该电极上; 藉由把该光阻薄膜曝光而然后将它显影,同时地形 成元件间隙调整间隔器与域形成凸体,域形成凸体 的高度比元件间隙调整间隔器低; 形成一第一配向薄膜于该第一基体的上表面侧上; 及 连接一第二基体至该第一基体,而然后把液晶密封 于该第一基体与该第二基体之间,于该第二基体上 系形成有像素电极和第二配向薄膜。13.一种液晶 显示装置,其中黑色矩阵系藉由层叠红色、绿色、 和蓝色滤色器中之多于两个滤色器在一基体来被 形成,该装置包含: 藉着一重叠滤色器的边缘决定红色像素、绿色像 素、与蓝色像素中之多于两个像素之边缘的结构 。14.如申请专利范围第13项之液晶显示装置,其中 该绿色像素的边缘系由形成于绿色滤色器上之红 色滤色器的边缘决定,红色像素的边缘系由形成于 红色滤色器上之蓝色滤色器的边缘决定,而蓝色像 素的边缘系由第一层绿色滤色器的边缘决定。15. 如申请专利范围第13项之液晶显示装置,其中该绿 色像素的边缘系由形成于绿色滤色器上之蓝色滤 色器的边缘决定,红色像素的边缘系由形成于红色 滤色器上之蓝色滤色器的边缘决定,而蓝色像素的 边缘系由第一层绿色滤色器的边缘决定。16.一种 液晶显示装置的滤色器基体,其包含: 一基体; 形成于该基体上之红色像素区域中的红色滤色器 、形成于绿色像素区域中的绿色滤色器、与形成 于蓝色像素区域中的蓝色滤色器;及 藉着层叠该红色滤色器、绿色滤色器、与蓝色滤 色器中之至少两个滤色器来被形成且系被配置于 该基体上之像素之间之区域中的黑色矩阵; 其中,红色像素区域、绿色像素区域、与蓝色像素 区域的边缘系由构成该黑色矩阵之滤色器中之一 重叠滤色器的边缘决定。17.一种制造液晶显示装 置的方法,其包含如下之步骤: 形成一第一滤色器在一基体上之黑色矩阵形成区 域与第一色彩像素区域中; 形成一第二滤色器在该基体上之黑色矩阵形成区 域与第二色彩像素区域中俾藉着该第二滤色器的 边缘来决定该第一色彩像素区域的边缘;及 形成一第三滤色器在该基体上之黑色矩阵形成区 域与第三色彩像素区域中俾藉着该第三滤色器的 边缘来决定该第二色彩像素区域的边缘及俾藉着 该第一滤色器的边缘来决定该第三色彩像素区域 的边缘。18.如申请专利范围第17项之制造液晶显 示装置的方法,其中,该基体系由具有比玻璃高之 紫外线吸收能力的材料形成。19.如申请专利范围 第17项之制造液晶显示装置的方法,其中该紫外线 吸收材料被加至该第一滤色器与该第二滤色器中 之至少一者。20.如申请专利范围第17项之制造液 晶显示装置的方法,其中,由具有比该基体之材料 优越之紫外线吸收能力之材料制成的一薄膜被形 成于该基体的一表面上。21.一种制造液晶显示装 置之滤色器基体的方法,其包含如下之步骤: 形成一第一滤色器在一基体上之黑色矩阵形成区 域与第一色彩像素区域中; 形成一第二滤色器在该基体上之黑色矩阵形成区 域与第二色彩像素区域中俾藉着该第二滤色器的 边缘来决定该第一色彩像素区域的边缘; 形成一第三滤色器在该基体上之黑色矩阵形成区 域与第三色彩像素区域中俾藉着该第三滤色器的 边缘来决定该第二色彩像素区域的边缘及俾藉着 该第一滤色器的边缘来决定该第三色彩像素区域 的边缘;及 形成一由透明导体制成的共用电极于该等滤色器 上。22.一种液晶显示装置,其中液晶被密封于一对 基体之间, 其中,用以决定在正常状态下于该等基体之间之元 件间隙的第一间隔器及具有一个比该等第一间隔 器低之高度的第二间隔器系被设置于该对基体之 间。23.如申请专利范围第22项之液晶显示装置,其 中该等第一间隔器与该等第二间隔器系由各具有 不同之压缩位移的材料形成。24.一种液晶显示装 置,其中液晶被密封于一对基体之间, 其中用以决定在该对基体之间之元件间隙的间隔 器系藉由层叠数个各具有不同之压缩位移的薄膜 来被构筑。25.一种制造液晶显示装置的方法,其包 含如下之步骤: 形成一第一光阻薄膜于一第一基体上,而然后藉由 将该第一光阻薄膜曝光和显影来选择地形成第一 间隔器于像素之间的区域中; 形成一第二光阻薄膜于该第一基体上,而然后藉由 将该第二光阻薄膜曝光和显影来形成具有与第一 间隔器不同之高度的第二间隔器于定位在像素之 间且不形成有第一间隔器的区域中;及 连接该第一基体与一第二基体俾使该等第一间隔 器与该等第二间隔器中之任一者的顶端部份与该 第二基体接触,而然后将液晶密封于该等基体之间 。26.一种制造液晶显示装置的方法,其包含如下之 步骤: 藉由层叠数个薄膜来形成间隔器于一第一基体上 之像素之间的区域中,该等薄膜系由各具有一压缩 位移的材料形成; 连接该第一基体与一第二基体俾使该等间隔器的 顶端部份与该第二基体接触,而然后把液晶密封于 该等基体之间。27.一种制造液晶显示装置的方法, 其包含如下之步骤: 形成一黑色矩阵与滤色器于一第一基体上; 形成一第一光阻薄膜于该第一基体的整个上表面 上,然后藉由把该第一光阻薄膜曝光和显影来形成 域形成凸体于该等滤色器上,而然后选择地形成一 抗蚀剂树脂薄膜于该黑色矩阵之上; 形成一第二光阻薄膜于该第一基体的整个上表面 上,然后藉由将该第二光阻薄膜曝光和显影来形成 由该第二光阻薄膜制成的第一间隔器于该黑色矩 阵之上,而然后形成由该抗蚀剂树脂薄膜与形成于 该抗蚀剂树脂薄膜上的第二光阻薄膜制成的第二 间隔器;及 连接该第一基体与一第二基体俾使该等第二间隔 器的顶端部份与该第二基体接触,而然后把液晶密 封于该等基体之间。28.如申请专利范围第27项之 制造液晶显示装置的方法,其中,该黑色矩阵系藉 由层叠多于两种色彩的滤色器来被形成。29.一种 制造液晶显示装置之滤色器基体的方法,其包含如 下之步骤: 形成一黑色矩阵和滤色器于一基体上; 形成一第一光阻薄膜于该基体的整个上表面上,然 后藉由将该第一光阻薄膜曝光和显影来形成域形 成凸体于该等滤色器上,而然后选择地形成一抗蚀 剂树脂薄膜于该黑色矩阵之上;及 形成一第二光阻薄膜于该基体的整个上表面上,然 后藉由将该第二光阻薄膜曝光和显影来形成由该 第二光阻薄膜制成的第一间隔器于该黑色矩阵之 上,而然后形成由该抗蚀剂树脂薄膜与形成于该抗 蚀剂树脂薄膜上之第二光阻薄膜制成的第二间隔 器。30.一种制造液晶显示装置的方法,其包含如下 之步骤: 形成一黑色矩阵于一第一基体上; 形成滤色器于该第一基体上的像素部份中,且亦仅 形成滤色器于该黑色矩阵的预定区域中; 形成一光阻薄膜于该第一基体的整个上表面上,而 然后藉由将该光阻薄膜曝光和显影来分别形成间 隔器于该等层叠于该黑色矩阵上的滤色器与未层 叠有该等滤色器的黑色矩阵上;及 连接该第一基体与一第二基体俾使形成于该等滤 色器上之间隔器的顶端部份与该第二基体接触,而 然后把液晶密封于该等基体之间。31.一种制造液 晶显示装置之滤色器基体的方法,其包含如下之步 骤: 形成一黑色矩阵于一基体上; 形成滤色器于该基体上的像素部份中,且亦仅形成 该等滤色器于该黑色矩阵的预定区域中;及 形成一光阻薄膜于该基体的整个上表面上,而然后 藉由将该光阻薄膜曝光和显影来分别形成间隔器 于被层叠在该黑色矩阵上的滤色器和未层叠有滤 色器的黑色矩阵上。32.一种液晶显示装置,其包含 : 一对基体; 数个插置于该对基体之间以形成一空隙在该对基 体之间的间隔器;及 被密封于该对基体之间的液晶; 其中,该等间隔器被形成来满足下面的不等式, x/d>(1/q60-1/q-20)/(1/q60) 其中,间隔器的分布密度是为n( cm-2),当9.8/n(N)的力量被施加至一个间隔器时的位 移量是为x,在该对基体之间的平均距离是为d,在 60℃下液晶的密度是为q60(g/cm3),且在-20℃下液晶的 密度是为q-20(g/cm3)。33.一种液晶显示装置,其包含: 一对基体; 数个被插置于该对基体之间以形成一空隙在该对 基体之间的间隔器;及 被密封于该对基体之间的液晶; 其中,该等间隔器被形成来满足下面的不等式。 x/d>2x(1/q60-1/q20)/(1/q60) 其中,间隔器的分布密度是为n( cm-2),当9.8/n(N)的力量被施加至一个间隔器时的位 移量是为x,在该对基体之间的平均距离是为d,在60 ℃下液晶的密度是为q60(g/cm3),且在20℃下液晶的密 度是为q20(g/cm3)。34.一种液晶显示装置,该液晶显 示装置包括一具有薄膜电晶体形成于其上的TFT基 体、一具有数种色彩之滤色器的CF基体、及被密 封于该TFT基体与该CF基体之间的液晶, 该TFT基体包含: 一透明基体; 被形成于该透明基体上的该等薄膜电晶体; 用以覆盖至少该等薄膜电晶体的绝缘最后保护薄 膜;及 于该最后保护薄膜被移去之部份电气连接至该等 薄膜电晶体,并且延伸至该等像素区域上的像素电 极; 其中该最后保护薄膜不被插置于该等像素电极与 该数个色彩中之至少一个色彩之像素区域中的透 明基体之间。35.如申请专利范围第34项之液晶显 示装置,其中被插置于该等像素区域上之最后保护 薄膜的厚度系根据该等像素的色彩来被不同地设 定。36.如申请专利范围第34项之液晶显示装置,其 中该最后保护薄膜系由绝缘无机材料形成。37.如 申请专利范围第34项之液晶显示装置,其中该最后 保护薄膜系由绝缘有机材料形成。38.一种液晶显 示装置,该液晶显示装置包括一具有薄膜电晶体形 成于其上的TFT基体、一具有数种色彩之滤色器的 CF基体、及被密封于该TFT基体与该CF基体之间的液 晶, 该TFT基体包含: 一透明基体; 被形成于该透明基体上的该等薄膜电晶体; 用以覆盖至少该等薄膜电晶体的绝缘最后保护薄 膜;及 于该最后保护薄膜被移去之部份电气连接至该等 薄膜电晶体,并且延伸至该等像素区域上的像素电 极; 其中被插置于该等像素电极与该透明基体之间之 最后保护薄膜的厚度系被设定比该等薄膜电晶体 上之最后保护薄膜的厚度薄。39.如申请专利范围 第38项之液晶显示装置,其中被插置于该等家素区 域上之最后保护薄膜的厚度系根据该等像素的色 彩来被不同地设定。40.如申请专利范围第38项之 液晶显示装置,其中该最后保护薄膜系由绝缘无机 材料形成。41.如申请专利范围第38项之液晶显示 装置,其中该最后保护薄膜系由绝缘有机材料形成 。42.一种制造液晶显示装竖的方法,其包含如下之 步骤: 形成数条闸极滙流排线于一基体上; 形成一第一绝缘薄膜于该基体的整个上表面上以 覆盖该等闸极滙流排线; 形成数条资料滙流排线于该第一绝缘薄膜上,且亦 形成薄膜电晶体来响应于对应的像素区域; 形成一第二绝缘薄膜于该基体的整个上表面上以 覆盖该等薄膜电晶体; 藉由选择地蚀刻在该等薄膜电晶体上之第二绝缘 薄膜,及蚀刻在该等像素区域上的第二绝缘薄膜来 把该等薄膜电晶体的电极曝光;及 藉由定以该导电薄膜图型来分别形成一导电薄膜 于该基体的整个上表面上,及形成像素电极于像素 区域中。43.如申请专利范围第42项之制造液晶显 示装置的方法,其中剩余在该等像素区域上之第一 绝缘薄膜或第二绝缘薄膜的厚度系根据该蚀刻步 骤中之像素的色彩来作改变。44.如申请专利范围 第42项之制造液晶显示装置的方法,其中,于该等薄 膜电晶体之上之第二绝缘薄膜的部份系被使用作 为间隔器以维持一元件间隙。45.如申请专利范围 第42项之制造液晶显示装置的方法,其中该第二绝 缘薄膜系由无机材料形成。46.如申请专利范围第 42项之制造液晶显示装置的方法,其中该第二绝缘 薄膜系由有机材料形成。47.一种液晶显示装置,其 中藉由层叠数个具有相互不同之色彩之滤色器来 形成的黑色矩阵系形成于一第一基体上,像素电极 系形成于一第二基体上,该第一基体和该第二基体 系以一密封元件连接在一起,而然后液晶系从一液 晶注入埠注入在该第一基体与该第二基体之间,该 液晶显示装置包含: 由数个被层叠于该第一基体上之液晶注入埠中之 滤色器形成的柱;及 形成于该等柱上以致于其之顶端变成与该第二基 体接触的间隙保持间隔器。48.如申请专利范围第 47项之液晶显示装置,其中由与间隙保持间隔器相 同之材料制成的域形成凸体系形成于像素区域中 的滤色器上。49.一种制造液晶显示装置的方法,其 包含如下之步骤: 分别地形成红色、绿色、和蓝色滤色器中之任一 滤色器于一第一基体上的像素区域中,藉由层叠该 红色、绿色、与蓝色滤色器中之两个滤色器来形 成一黑色矩阵于显示区域之外侧上之光线遮蔽区 域与像素之间的区域中,及藉由层叠该红色、绿色 、与蓝色滤色器中之多于两个滤色器在一个作为 一液晶注入埠的区域上来形成柱在一个作为一液 晶注入埠的区域中; 形成域形成凸体于像素区域中的滤色盖上,及形成 第一间隙保持间隔器于藉由层叠该等滤色器来制 成的柱上; 连接该第一基体与该第二基体以使该等第一间隙 保持间隔器的顶端与该第二基体接触; 经由该液晶注入埠把液晶注入在该第一基体与该 第二基体之间;及 密封该液晶注入埠。50.如申请专利范围第49项之 制造液晶显示装置的方法,其中该红色、绿色、与 蓝色滤色器系被层叠作为显示区域中之预定区域 中的三层,然后元件间隙调整间隔器系与域形成凸 体同时地形成,而然后当该第一基体与该第二基体 被彼此连接时该等元件间隙调整间隔器的预端系 与该第二基体接触。51.如申请专利范围第49项之 制造液晶显示装置的方法,其中该第二间隙保持间 隔器系与该第一间隙保持间隔器的形成同时地形 成于该等显示区域之外侧上的黑色矩阵上。52.如 申请专利范围第49项之制造液晶显示装置的方法, 其中该等第一间隙保持间隔器系被形成比该等元 件间隙调整间隔器高。53.一种制造液晶显示装置 之滤色器基体的方法,其包含如下之步骤: 分别地形成红色、绿色、和蓝色滤色器中之任一 滤色器于一第一基体上的像素区域中,藉由层叠该 红色、绿色、与蓝色滤色器中之两个滤色器来形 成一黑色矩阵于显示区域之外侧上之光线遮蔽区 域与像素之间的区域中,及藉由层叠该红色、绿色 、与蓝色滤色器中之多于两个滤色器在一个作为 一液晶注入埠的区域上来形成柱在一个作为一液 晶注入埠的区域中;及 形成域形成凸体于像素区域中的滤色器上,及形成 第一间隙保持间隔器于藉由层叠该等滤色器来制 成的柱上。图式简单说明: 第1图是为显示习知之MVA液晶显示装置之例子的剖 视图(示意图); 第2图是为显示当电压被施加时,在第1图中所显示 之MVA液晶显示装置之状态的剖视图(示意图); 第3图是为显示习知之MVA液晶显示装置之另一例子 的剖视图(示意图); 第4图是为显示本发明第一实施例之液晶显示装置 的剖视图; 第5图是为显示在第4图中所显示之液晶显示装置 之间隔器形成区域的放大剖视图; 第6图是为显示在第4图中所显示之液晶显示装置 之TFT基体的平面图; 第7图是为显示在第4图中所显示之液晶显示装置 之CF基体的平面图; 第8A至8F图是为显示制造第一实施例之液晶显示装 置之CF基体之方法的剖视图(#1); 第9A和9B图是为显示制造第一实施例之液晶显示装 置之CF基体之方法的剖视图(#2); 第10A和10B图是为显示制造第一实施例之液晶显示 装置之CF基体之方法的剖视图(#3); 第11图是为显示制造第一实施例之液晶显示装置 之CF基体之方法的剖视图(#4); 第12A至12C图是为显示制造本发明第二实施例之液 晶显示装置之CF基体之方法的平面图,其中,在该光 罩之光线遮蔽图型与像素之间的位置关系被显示; 第13图是为显示制造第二实施例之液晶显示装置 之CF基体之方法的平面图,其中,间隔器与凸体之形 成图型系被显示; 第14A图是为沿着第13图中之线II-II的剖视图,而第14 B图是为沿着第13图中之线III-III的剖视图; 第15A至15C图是为显示制造第二实施例之液晶显示 装置之CF基体之方法的剖视图,其中,该凸体形成区 域系被显示; 第16A至16C图是为显示制造第二实施例之液晶显示 装置之CF基体之方法的剖视图,其中,间隔器形成区 域系被显示; 第17图是为显示制造第二实施例之液晶显示装置 之CF基体之方法的平面图,其中,当其之薄膜厚度在 曝光之后为1.5m及其之曝光量是为正常曝光量之 1/2的抗蚀剂被使用时所使用的图型曝光系被显示; 第18图是为显示制造本发明第三实施例之液晶显 示装置之CF基体之方法的示意剖视图,其中,该曝光 步骤系被显示; 第19图是为显示制造第三实施例之液晶显示装置 之CF基体之方法的平面图,其中,一凸体形成图型系 被显示; 第20图是为显示制造第三实施例之液晶显示装置 之CF基体之方法的示意剖视图,其中,在该曝光步骤 中的凸体形成区域系被显示; 第21图是为显示制造第三实施例之液晶显示装置 之CF基体之方法的示意剖视图,其中,藉由使用由具 有低传递系数之材料制成之图型之形成该等凸体 的方法系被显示; 第22图是为显示制造本发明第四实施例之液晶显 示装置之CF基体之方法的示意剖视图,其中,该曝光 步骤系被显示; 第23图是为显示第22图中之凸体形成区域的放大剖 视图; 第24图是为显示本发明第五实施例之液晶显示装 置的剖视图; 第25图是为显示在滤色器之厚度与间隔器之高度 之间之关系的图表; 第26A至26E图是为显示制造第五实施例之液晶显示 装置之CF基体之方法的剖视图; 第27A至27C图是为显示制造本发明第六实施例之液 晶显示装置之CF基体之方法的剖视图; 第28图是为显示把作用为滤色器之光阻曝光之步 骤的示意剖视图; 第29图是为显示藉由层叠该等滤色器所构第之黑 色矩阵之例子的示意剖视图; 第30A至30D图是为显示制造本发明第七实施例之液 晶显示装置之CF基体之方法的剖视图; 第31A至31C图是为显示制造在第30A至30D图中所显示 之液晶显示装置之CF基体之方法的平面图; 第32图是为显示第七实施例之决定像素部份之边 缘之滤色器之边缘的示意剖视图; 第33图是为显示第七实施例之使用一基体之液晶 显示装置的示意剖视图,在其中,一紫外线吸收薄 膜系被形成; 第34A至34C图是为显示制造本发明第八实施例之液 晶显示装置之CF基体之方法的剖视图; 第35A至35C图是为显示制造在第34A至34C图中所显示 之液晶显示装置之CF基体之方法的平面图; 第36图是为显示第八实施例之决定像素部份之边 缘之滤色器之边缘的示意剖视图(#1); 第37图是为显示第八实施例之决定像素部份之边 缘之滤色器之边缘的示意剖视图(#2); 第38图是为显示本发明第九实施例之液晶显示装 置的示意平面图; 第39图是为显示沿着第38图中之液晶显示装置之黑 色矩阵之截面形状的剖视图; 第40图是为显示元件间隙因一压缩负载之改变之 计算结果的图表; 第41A至41G图是为显示制造第九实施例之液晶显示 装置之CF基体之方法的剖视图; 第42图是为显示该液晶显示装置的剖视图,在其中, 一诺伏腊光树脂薄膜被形成于滤光器上作为间隔 器; 第43图是为显示具有在第42图中之结构之间隔器之 压缩曲线的图表; 第44图是为显示树脂间隔器对压缩负载之位移之 计算结果的图表; 第45图是为显示本发明第十实施例之液晶显示装 置的剖视图; 第46A至46G图是为显示制造第十实施例之液晶显示 装置之CF基体之方法的剖视图; 第47图是为显示本发明第十一实施例之液晶显示 装置的平面图; 第48图是为显示在第47图中所显示之液晶显示装置 的剖视图; 第49A至49G图是为显示制造第十一实施例之液晶显 示装置之CF基体之方法的剖视图; 第50A至50G图是为显示制造本发明第十二实施例之 液晶显示装置之CF基体之方法的剖视图; 第51图是为显示第十二实施例之液晶显示装置之CF 基体的示意平面图; 第52图是为显示间隔器之负载-位移特性的图表; 第53图是为显示藉由改变间隔器分布密度来检定 高温膨胀与低温泡沫之结果的图表; 第54A和54B图是为分别显示本发明第十三实施例之 液晶显示装置之元件间隙保持间隔器之例子的剖 视图; 第55图是为显示本发明第十四实施例之液晶显示 装置之TFT基体的剖视图; 第56图是为显示在第55图中所显示之液晶显示装置 之TFT泡沫部份及其之相邻区域的放大剖视图; 第57A至57E图是为显示制造第十四实施例之液晶显 示装置之TFT基体之方法的剖视图; 第58图是为显示第十四实施例之液晶显示装置之 变化的剖视图,其中,在蓝色像素区域之像素电极 之下的绝缘薄膜系被留下但在红色像素区域与绿 色像素区域之下的绝缘薄膜系被移去; 第59图是为显示第十四实施例之液晶显示装置的 剖视图,其中,该绝缘薄膜被蚀刻来暴露该源极侧 上之TFT的导电薄膜; 第60图是为显示本发明第十五实施例之液晶显示 装置的剖视图; 第61A和61B图是为显示制造第十五实施例之液晶显 示装置之TFT基体之方法的剖视图; 第62图是为显示本发明第十六实施例之液晶显示 装置在液晶被注入之前之状态的平面图; 第63图是为沿着第62图中之线IV-IV线之显示该液晶 显示装置的剖视图; 第64A至64E图是为显示制造第十六实施例之液晶显 示装置之方法的剖视图;及 第65A至65D图是为显示制造第十六实施例之液晶显 示装置之方法的平面图。 |
