发明名称 同平面切换型液晶显示装置及其制造方法
摘要 一种同平面切换型液晶显示装置,其包括一共电极主线、连接于共电极主线的复数个共电极、一画素电极主线,以及连接于画素电极主线并且覆盖于部分共电极上方的复数个画素电极,在共电极和画素电极之间则包含一绝缘层。利用画素电极与部分共电极重叠部分所造成之储存电容,可以增加此画素元件的储存电容,进而减少原本储存电容所占用的面积,使得开口率增加。另外,只需要更动部分制程步骤的内容,所以实施上不会增加制造成本。
申请公布号 TW513600 申请公布日期 2002.12.11
申请号 TW089111097 申请日期 2000.06.07
申请人 财团法人工业技术研究院 发明人 刘秉德;戴亚翔
分类号 G02F1/1333;G02F1/1343 主分类号 G02F1/1333
代理机构 代理人
主权项 1.一种同平面切换型液晶显示装置,其包括至少一 画素元件,上述画素元件包括: 一共电极主线,其系沿第一方向设置; 至少一共电极,其分别连接上述共电极主线且沿着 与上述第一方向不平行之第二方向设置并彼此平 行; 一画素电极主线,其系沿着上述第一方向设置并且 覆盖于上述共电极主线之上方; 至少一画素电极,其系沿着上述第二方向设置且彼 此平行,其分别连接上述画素电极主线并且覆盖于 部分之上述共电极之上方;以及 一绝缘层,置于上述共电极和上述画素电极之间。 2.如申请专利范围第1项所述之装置,其中上述画素 电极主线系覆盖于上述共电极主线之上方,并且上 述绝缘层置于上述画素电极主线和上述共电极主 线之间。3.如申请专利范围第1项所述之装置,其中 更包括至少一资料线和一闸极线,与上述画素电极 主线构成上述画素元件之薄膜电晶体。4.如申请 专利范围第1项所述之装置,其中上述每一画素电 极之面积大于被覆盖之上述共电极。5.如申请专 利范围第1项所述之装置,其中上述画素电极和上 述共电极呈弯曲状。6.一种同平面切换型液晶显 示装置之制造方法,其包括下列步骤: 提供一基板; 形成一共电极主线和连接于上述共电极主线之复 数共电极于上述基板,其中上述的共电极主线系沿 第一方向设置,上述的共电极沿着与上述第一方向 不平行的第二方向设置并且彼此平行; 形成一绝缘层于上述共电极主线和上述复数共电 极上;以及 形成一画素电极主线,同时形成连接于上述画素电 极主线之至少一画素电极于上述绝缘层上,上述画 素电极主线系沿着上述第一方向设置并且覆盖于 上述共电极主线之上方,上述画素电极系沿着上述 第二方向设置,彼此平行并且覆盖于部分之上述共 电极之上方。7.如申请专利范围第6项所述之制造 方法,其中上述画素电极主线形成于上述绝缘层并 且覆盖于上述共电极主线上。8.如申请专利范围 第6项所述之制造方法,其中形成上述共电极主线 和上述共电极之步骤中,同时形成至少一闸极线。 9.如申请专利范围第6项所述之制造方法,其中形成 上述画素电极主线和上述画素电极之步骤中,同时 形成至少一资料线。10.如申请专利范围第6项所述 之制造方法,其中上述每一画素电极之面积大于被 覆盖之上述共电极。11.如申请专利范围第6项所述 之制造方法,其中上述画素电极和上述共电极呈弯 曲状。图式简单说明: 第1图表示习知同平面切换型(IPS)液晶显示装置之 布局图。 第2图表示第1图中沿II-II'线之侧视剖面图。 第3图表示第1图中沿III-III'线之侧视剖面图。 第4图表示本发明第一实施例之同平面切换型液晶 显示装置之布局图。 第5图表示第4图中沿V-V'线之侧视剖面图。 第6图表示本发明第一实施例中单一画素元件的电 路示意图。 第7图表示本发明第一实施例中同平面切换型液晶 显示装置的制造流程图,特别针对具有共电极和画 素电极之玻璃基板所处理的步骤。 第8图表示本发明第二实施例之同平面切换型液晶 显示装置之布局图。
地址 新竹县竹东镇中兴路四段一九五号