| 主权项 |
1.一种曝光装置,具有投射主控台上形成之图样至 基底上之投影光学系统,能够移动投影光学系统有 关同时固定住至少基底与主控台的其中之一物体 之镜台,以及支撑投影光学系统之透镜筒座,包括: 使用建构于镜台上且有实质上平行于XY平面之反 射面之Z测量镜而测量透镜筒座有关之镜台的Z位 置与位移之干涉仪之干涉仪系统。2.根据申请专 利范围第1项之装置,其中该干涉仪系统包括多个 建构于装置上之干涉仪系统。3.根据申请专利范 围第1项之装置,其中镜台的倾斜量系使用该多个 干涉仪系统的测量结果所测量。4.根据申请专利 范围第1项之装置,其中该干涉仪系统包括多个在 投影光学系统之上建构于装置上之干涉仪系统。5 .根据申请专利范围第1项之装置,其中该干涉仪系 统之干涉仪有重叠可测量区域,且当镜台被定位于 可测量区域彼此重叠之区域中时,由该干涉仪之测 量被切换。6.根据申请专利范围第1项之装置,其中 该装置进一步包含藉由该干涉仪系统校正位置与 位移的测量结果的基础上之位置与位移之控制机 构,以及该多个干涉仪的测量値被同时地接收且发 送至该控制机构。7.根据申请专利范围第1项之装 置,其中干涉仪被镶在至少镜台与紧接镜台后之可 动部分的其中之一上,该镜台在支撑干涉仪之可动 部分的照射方向有较长之Z测量之经加长的镜子, 且Z测量之经加长的镜子使用X与Y测量镜的其中之 一上部表面。8.根据申请专利范围第1项之装置,其 中该干涉仪系统造成由干涉仪发射之测量光经由 多个附加于当作测量参考之透镜筒座之镜或棱镜 照射Z测量镜。9.根据申请专利范围第1项之装置, 其中自该干涉仪系统之测量光实质上系垂直地入 射于Z测量镜的反射面上。10.根据申请专利范围第 1项之装置,其中干涉仪发射总共四条光束包括两 测量光束与两参考光束,且四条光束以实质上等间 隔之十字形位置关系形成。11.根据申请专利范围 第1项之装置,其中在Z测量镜前面随即地建构之镜 或棱镜有至少反射测量光至Z测量镜以及回到入射 光学路径之参考光之两反射面。12.一种曝光装置, 包含: 可在Y方向移动之Y镜台; 可在该Y镜台有关之X方向移动之X镜台; 镶于该X镜台或Y镜台上且有平行于XY平面之反射面 之Z镜; 引导由该Y镜台发射至Z方向之光束至Z镜之镜或棱 镜;以及 由使用由该Z镜反射之光束侦测该X镜台或Y镜台的Z 位置。13.根据申请专利范围第12项之装置,其中该 干涉仪系镶于该Y镜台或X镜台上。14.根据申请专 利范围第12项之装置,其中该干涉仪系镶于X或Y方 向,装置进一步包含具有反射自X或Y方向之光束至Z 方向之反射面之光学元件,且该干涉仪发射平行于 X或Y方向向该光学元件之光束。15.根据申请专利 范围第12项之装置,其中引导光束至该Z镜之镜或棱 镜有由该Y镜台或X镜台发射至Z方向之光束反射至X 或Y方向之第一镜或棱镜,以及由第一镜或棱镜反 射之光束反射至Z方向且以光束照射该Z镜之第二 镜或棱镜。16.根据申请专利范围第15项之装置,其 中第一镜或棱镜及第二镜或棱镜系在X或Y方向加 长。17.根据申请专利范围第15项之装置,其中第二 镜或棱镜有反射由第一镜或棱镜反射之光束的参 考光成分至第一镜或棱镜之反射面。18.根据申请 专利范围第1项之装置,其中该干涉仪系统之多个 干涉仪当镜台的中央位置被控制在曝光中心附近 时有重叠可测量区域。19.一种半导体设备制造方 法,包含步骤: 安装多个包括曝光装置之半导体制造装置于工厂; 以及 由使用多个半导体制造装置而制造半导体设备, 其中曝光装置有投射主控台上形成之图样至基底 上之投影光学系统,能够移动投影光学系统有关同 时固定住至少基底与主控台的其中之一物体之镜 台,及支撑投影光学系统之透镜筒座,以及 曝光装置包括具有由使用建构于镜台上且有实质 上平行于XY平面之反射面之Z测量镜而测量透镜筒 座有关之镜台的Z位置与位移之干涉仪之干涉仪系 统。20.根据申请专利范围第19项之方法,进一步包 含步骤: 连接多个半导体制造装置至区域网路; 连接区域网路至半导体制造工厂外之外部网路; 由使用区域网路与外部网路要求自外部网路之资 料库上关于曝光装置之资讯;以及 在经要求的资讯的基础上控制曝光装置。21.根据 申请专利范围第20项之方法,其中由曝光装置的使 用者或卖方提供之资料库系经由外部网路存取,藉 此由资料通讯获得制造装置的维护资讯,或资料通 讯系经由外部网路在半导体制造工厂与另一半导 体制造工厂间执行,藉此执行生产管理。22.一种半 导体制造工厂,包含: 多个包括曝光装置之半导体制造装置; 连接该多个半导体制造装置之区域网路;以及 连接该区域网路至半导体制造工厂外之外部网路 之闸道, 其中关于至少其中之一该多个半导体制造装置之 资讯可被传递, 该曝光装置有投射主控台上形成之图样至基底上 之投影光学系统,能够移动投影光学系统有关同时 固定住至少基底与主控台的其中之一物体之镜台, 及支撑投影光学系统之透镜筒座,以及 该曝光装置包括具有由使用建构于镜台上且有实 质上平行于XY平面之反射面之Z测量镜而测量透镜 筒座有关之镜台的Z位置与位移之干涉仪之干涉仪 系统。23.一种安装于半导体制造工厂之曝光装置 之维护方法,包含步骤: 准备累积关于曝光装置的维护之资讯于曝光装置 被安装之工厂外面之外部网路上之资料库; 连接曝光装置至工厂之区域网路;以及 由使用外部网路与区域网路在资料库累积之资讯 的基础上维护曝光装置, 其中曝光装置有投射主控台上形成之图样至基底 上之投影光学系统,能够移动投影光学系统有关同 时固定住至少基底与主控台的其中之一物体之镜 台,及支撑投影光学系统之透镜筒座,以及 曝光装置包括具有由使用建构于镜台上且有实质 上平行于XY平面之反射面之Z测量镜而测量透镜筒 座有关之镜台的Z位置与位移之干涉体之干涉仪系 统。24.根据申请专利范围第1项之装置,进一步包 含: 连接网路之介面; 经由网路执行传递曝光装置的维护资讯之网路软 体之电脑;以及 显示由该电脑执行之网路软体传递之曝光装置的 维护资讯之显示器。25.根据申请专利范围第24项 之装置,其中网路软体在显示器上提供存取由曝光 装置的使用者或卖方提供且连接至安装曝光装置 之工厂外面之外部网路之维护资料库之使用者介 面,且经由外部网路致使获得自资料库之资讯。图 式简单说明: 图1是概略地显示根据本发明的第一实施例之Z测 量之透视图; 图2是显示根据本发明的实施例之曝光装置之前视 图; 图3是显示根据本发明的第二实施例之Z测量之透 视图; 图4是显示根据本发明的实施例之干涉仪的光学路 径之前视图; 图5是显示根据本发明的实施例之Z测量镜之图; 图6是显示根据本发明的实施例之Z测量镜之图; 图7是概略地显示根据本发明的第三实施例之Z测 量之透视图; 图8是显示当自指定的角度观看时使用根据本发明 之曝光装置之半导体设备产品系统的观念之图; 图9是显示当自另一角度观看时使用根据本发明之 曝光装置之半导体设备产品系统的观念之图; 图10是显示使用者介面的范例之图; 图11是解释设备制程之流程图; 图12是解释晶圆处理之流程图; 图13是概略地显示习知测量系统之透视图; 图14是显示习知的曝光装置之前视图; 图15是显示另一习知的曝光装置之前视图; |
