| 发明名称 | 用于快擦写内存源极/漏极的固态源掺杂 | ||
| 摘要 | 一种制造快擦写内存装置的方法,其中经由下列步骤可产生最小的栅极边缘掀起现象(gate edge lifting):将栅极叠层(gate stack)和基片暴露出的表面予以最低的氧化;从该基片各向异性地蚀刻氧化物层;在基片上要形成源极区的部份上形成经掺杂的固态源极材料及使该掺杂物(dopants)从该固态源极材料扩散到所述基片之内。 | ||
| 申请公布号 | CN1384974A | 申请公布日期 | 2002.12.11 |
| 申请号 | CN00815128.8 | 申请日期 | 2000.10.24 |
| 申请人 | 先进微装置公司 | 发明人 | T·苏格特;C·R·霍斯特 |
| 分类号 | H01L21/336;H01L21/225 | 主分类号 | H01L21/336 |
| 代理机构 | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人 | 戈泊;程伟 |
| 主权项 | 1.一种制造具有最小栅极边缘掀起现象的快擦写内存装置的方法，其中所述方法包括：(a)在基片上形成栅极叠层，其中该栅极叠层包括在所述基片上形成的隧道氧化物、在该隧道氧化物上形成的浮栅、在该浮栅上形成的介电层以及在该介电层上形成的控制栅；(b)在所述栅极叠层和所述基片暴露出的部份上形成氧化物层；(c)从所述栅极叠层的水平表面和所述基片暴露出的部份各向异性地蚀刻掉所述氧化物层；(d)在所述基片上要形成源极区的部份上形成固态源极材料层；(e)用所选的掺杂物离子掺杂所述固态源极材料层；及(f)使所选的所述掺杂物离子扩散到所述基片内，形成源极区。 | ||
| 地址 | 美国加利福尼亚州 | ||