制造半导体器件的方法

摘要

本发明的半导体器件制造方法，该方法可减轻PMOS器件的短沟道效应，改善NMOS器件的电流驱动特性。

主权项

1.一种制造半导体器件的方法，该方法包括以下步骤：在有第一区和第二区的半导体衬底上形成栅绝缘膜；在相应于第一区和第二区的栅绝缘膜上分别形成第一和第二栅极；在第一和第二栅极的各侧面上形成含第一导电类型杂质的侧壁；在衬底的第一区中和包括第一侧壁的第一栅极侧面之下方形成第一导电类型的高浓度杂质区；在衬底的第二区中和包括第一侧壁的第二栅极侧面之下方形成第二导电类型低浓度杂质区；在形成于第一和第二栅极侧面上的第一侧壁表面上分别形成各自的第二侧壁；在衬底的第二区中和包括第一和第二侧壁的第二栅极侧面下方形成第二导电类型高浓度杂质区；在第一和第二栅极上及包括第一区的第一导电类型的高浓度杂质区和第二区的第二类型的高浓杂质区上形成硅化物膜；在第一区中和第一侧壁之下方形成第一导电类型低浓度杂质区，该区与第一导电类型的高浓度杂质区部分重叠；在第二区中和第一侧壁之下方形成第一导电类型光晕区，该区与第二导电类型的低浓度杂质区部分重叠；所述第一导电类型低浓度杂质区和第一导电类型光晕区分别是由在进行快速热退火工艺以形成硅化物膜时从含第一导电类型杂质的第一侧壁扩散进衬底的第一导电类型杂质形成的。