| 摘要 |
본 발명은 알루미늄-함유 물리증착 타겟의 형성방법을 포함한다. 알루미늄-함유 매스가 등단면경사추출에 의하여 변형된다. 상기 매스는, 적어도 99.99% 알루미늄과, Ac, Ag, As, B, Ba, Be, Bi, C, Ca, Cd, Ce, Co, Cr, Cu, Dy, Er, Eu, Fe, Ga, Gd, Ge, Hf, Ho, In, Ir, La, Lu, Mg, Mn, Mo, N, Nb, Nd, Ni, O, Os, P, Pb, Pd, Pm, Po, Pr, Pt, Pu, Ra, Rf, Rh, Ru, S, Sb, Sc, Se, Si, Sm, Sn, Sr, Ta, Tb, Te, Ti, Tl, Tm, V, W, Y, Yb, Zn 및 Zr로 이루어진 그룹중 선택된 성분원소를 포함하는 하나 이상의 도핑재를 약 1,000ppm 이하로 포함하여 조성된다. 상기 알루미늄-함유 매스가 변형된후, 상기 매스는 적어도 스퍼터링 타겟을 이루는 부분으로 형상화된다. 또한 본 발명은 알루미늄과, Ac, Ag, As, B, Ba, Be, Bi, C, Ca, Cd, Ce, Co, Cr, Cu, Dy, Er, Eu, Fe, Ga, Gd, Ge, Hf, Ho, In, Ir, La, Lu, Mg, Mn, Mo, N, Nb, Nd, Ni, O, Os, P, Pb, Pd, Pm, Po, Pr, Pt, Pu, Ra, Rf, Rh, Ru, S, Sb, Sc, Se, Si, Sm, Sn, Sr, Ta, Tb, Te, Ti, Tl, Tm, V, W, Y, Yb, Zn 및 Zr로 이루어진 그룹중 선택된 성분원소를 포함하는 하나 이상의 도핑재를 약 1,000ppm 이하로 포함하여 조성되는 물리증착 타겟을 포함한다. 또한 본 발명은 박막을 포함한다. |
