| 发明名称 | 半导体组件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种半导体组件及其制造方法,与原来相比把组件尺寸大幅度地小型化。半导体组件(10)包括半导体芯片(2)。半导体芯片包括在上侧配置的第一和第二电极(15、8)以及在底侧配置的第三电极(16)。在第三电极(16)上接合热扩展器(6)。第一和第二电极(15)和(8)上分别经导电性的第一和第二接合部件(7a,7b)电连接导电性的第一和第二引线(11,12)。第一和第二引线(11,12)在下端部分别具有与热扩展器(6)的第一侧平行配置的足部(L3)。热扩展器(6)的底面、第一和第二引线(11,12)的足部(L3)的底面从绝缘性的封装体(5)的底面露出,并且配置在同一平面上。 | ||
| 申请公布号 | CN1384550A | 申请公布日期 | 2002.12.11 |
| 申请号 | CN02123715.8 | 申请日期 | 2002.03.29 |
| 申请人 | 株式会社东芝 | 发明人 | 堀哲二 |
| 分类号 | H01L29/78;H01L23/48;H01L23/28;H01L21/60 | 主分类号 | H01L29/78 |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人 | 吴丽丽 |
| 主权项 | 1.一种半导体组件，其特征在于包括：含有在上侧配置的第一和第二电极以及在底侧配置的第三电极的半导体芯片；在上述第三电极上接合的热扩展器；分别经导电性的第一和第二接合部件电连接于上述第一和第二电极上的导电性的第一和第二引线，上述第一和第二引线在下端部分别具有沿着横向延伸并与上述热扩展器的第一侧平行配置的足部；通过埋置封装到上述半导体芯片、上述热扩展器和上述第一和第二引线的至少上述足部的一部分的绝缘性的封装体，上述热扩展器的底面、上述第一和第二引线的上述足部的底面从上述封装体的底面露出，并且实质上配置在同一平面上。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||