半导体装置、互补型半导体装置

摘要

本发明的目的是在具有高介电体栅绝缘膜的超高速半导体装置中,抑制杂质元素从介入高介电体栅绝缘膜的栅电极到Si基板的扩散,或金属元素或氧原子从高介电体栅绝缘膜到Si基板或到栅电极的扩散。在通过原子层堆积形成高介电体栅绝缘膜时,形成将Si基板表面通过氧原子层均匀覆盖,在其上以在高介电体膜的上下通过氮原子层均匀覆盖的形式形成高介电体膜。

主权项

1.半导体装置，其特征在于，该半导体装置是由包含Si结晶层形成的沟道区，和在上述沟道区上形成的，在上述Si结晶层上形成的SiO层，和在上述SiO层上形成的第1 SiN层，和在上述第1 SiN层上形成的高介电体金属氧化物层，和在上述高介电体金属氧化物层上形成的第2 SiN层的栅绝缘膜，和在上述栅绝缘膜上形成的栅电极形成的。