发明名称 | 保护电路和采用该保护电路的电路 | ||
摘要 | 本发明公开了一种具有防浪涌的高保护限度和调整该保护限度的能力的保护电路。保护电路101以这样一种方式构成,即,把增强型N沟道MOS晶体管102的漏极接到输入端306,把其栅极和源极接到电阻103的一端,而把电阻103的另一端接到地端205。这样,在该保护电路101中设置了用来调整电流的装置,以便适当增大保护工作时保持电路101的电阻以获得一个电路结构,在该电路结构中不易流过大电流。 | ||
申请公布号 | CN1096138C | 申请公布日期 | 2002.12.11 |
申请号 | CN98120793.6 | 申请日期 | 1998.09.28 |
申请人 | 精工电子工业株式会社 | 发明人 | 桜井敦司 |
分类号 | H02H9/04 | 主分类号 | H02H9/04 |
代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 王勇;张志醒 |
主权项 | 1、一种用来保护一个电路免遭静电或浪涌引起的异常电压或异常电流的保护电路,包括:至少一个MIS晶体管;和用来调整流过该MIS晶体管的电流的装置,其中把该MIS晶体管的栅极电压设定在一个电压,在该电压处该MIS晶体管的漏极与源极之间的沟道是关断的。 | ||
地址 | 日本千叶县 |